半導(dǎo)體型單壁碳納米管(s-SWCNTs)因其獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)、機(jī)械和熱性能,在微納米電子器件領(lǐng)域表現(xiàn)出很好的應(yīng)用前景。由于分散過程簡單、高效且高選擇性,共軛聚合物選擇性分散法成為目前分離高純度s-SWCNTs的主要方法。高集成電路的實(shí)現(xiàn)要求碳管取向排列且具有高度均勻的密度和管間距,如何改善聚合物分散的電中性s-SWCNTs之間的纏繞聚集問題并實(shí)現(xiàn)SWCNTs取向薄膜的可控制備在很大程度上決定了其在電子領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。目前存在諸多用于表面活性劑分離的s-SWCNTs的取向排列的研究方法,但是現(xiàn)有的自組裝方法很難實(shí)現(xiàn)電中性s-SWCNTs的大面積取向排列。本論文重點(diǎn)關(guān)注如何實(shí)現(xiàn)共軛聚合物PCz分離的高純度s-SWCNTs的大面積連續(xù)取向排列,包括有機(jī)溶劑中PCz分離高純度的s-SWCNTs,電中性s-SWCNTs表面電荷的修飾,“雙液相”提拉法實(shí)現(xiàn)碳管的水平取向排列,基于碳納米管取向薄膜的兩端式電阻器和薄膜晶體管的制備。主要研究成果如下:1.通過電荷性稠環(huán)芳香分子實(shí)現(xiàn)PCz分離出的s-SWCNTs的表面電荷修飾。首先根據(jù)帶電狀態(tài)和分子構(gòu)型對電荷修飾劑進(jìn)行篩選,發(fā)現(xiàn)正電性的硫酸原黃素為最佳電...

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1（a）單壁碳納米管的幾何結(jié)構(gòu)及其與電子結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系圖

江南大學(xué)碩士學(xué)位論文和扶手椅型（30°），兩者之間的結(jié)構(gòu)差異如圖1-1c所示[16]。從卷曲矢指數(shù)考慮，扶手椅型納米管的n=m，而鋸齒型中m=0。卷曲矢量的差s幾何結(jié)構(gòu)的不同，一旦手性指數(shù)確定了，其他屬性如手性角和直徑也隨性指數(shù)（n,m）決定單根SWCNT具有不同的....

圖1-2一束理想化的納米管（在這樣的管束中，單根管通過很強(qiáng)的π-π堆積作用捆綁在一起）

第一章緒論學(xué)的重要組成部分，因?yàn)檫@些過進(jìn)一步基團(tuán)的共價(jià)連接而產(chǎn)和機(jī)械性能之前，SWCNTs可Ts側(cè)壁是由大量六元苯環(huán)組成面很容易通過π-π相互作用而吸共價(jià)修飾提供了研究基礎(chǔ)。

圖1-3SWCNT可能存在的結(jié)構(gòu)缺陷[17]

化學(xué)的重要組成部分，因?yàn)檫@些結(jié)過進(jìn)一步基團(tuán)的共價(jià)連接而產(chǎn)生。子和機(jī)械性能之前，SWCNTs可以Ts側(cè)壁是由大量六元苯環(huán)組成的面很容易通過π-π相互作用而吸附非共價(jià)修飾提供了研究基礎(chǔ)。這樣的管束中，單根管通過很強(qiáng)的π-nanotubes(Insuchbundles....

圖1-4s-SWCNT分散過程的概述[20]

圖1-4s-SWCNT分散過程的概述[20]Figure1-4Generaloverviewofthes-SWCNTdispersionprotocol[20].1）不同結(jié)構(gòu)類型的聚合物年來，已發(fā)現(xiàn)的能夠用于選擇性分散高純度s-SWCNT的共軛聚合物的前....

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