發(fā)布時(shí)間：2024-03-17 18:41

　　基于GaAs HBT工藝設(shè)計(jì)了一款高線性、全集成的寬帶功率放大器(PA)。芯片采用倒扣的裝配方式。該功率放大器包括驅(qū)動(dòng)級(jí)和功率級(jí),工作頻率為1.71～2.05 GHz。通過多級(jí)匹配增大帶寬,實(shí)現(xiàn)了對(duì)GSM/WCDMA/LTE中多個(gè)上行頻段的覆蓋。測(cè)試結(jié)果表明,在整個(gè)工作頻帶內(nèi)功率增益約為30 dB。工作電壓為3.5 V,輸出功率為28 dBm,采用10 MHz 50RB QPSK LTE信號(hào)測(cè)試時(shí),功率附加效率(PAE)約為37%,鄰信道泄漏比(ACLR)約為-38 dBc。芯片尺寸為0.755 mm×0.8 mm。

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【部分圖文】：

圖1偏置電路示意圖

為了減少非線性失真,降低電路的溫度敏感性,該功率放大器采用了如圖1所示的有源偏置電路。該偏置電路由晶體管Q2、整流電阻Rb、旁路電容Cb和發(fā)射極-基極二極管D1、D2組成。當(dāng)輸入功率增大時(shí),該偏置電路的存在會(huì)使功率管Q1的基極-發(fā)射極電壓以及集電極電流增加,從而改善功率放大器的增....

圖2輸出匹配示意圖

寬帶輸出匹配對(duì)多頻段覆蓋的功率放大器至關(guān)重要。其主要設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)對(duì)工作頻段的高效率、低失真?zhèn)鬏敽蛯?duì)高次諧波的抑制[10]�；谝陨险撌�,我們采用了如圖2所示的一種帶有二次諧波抑制作用的兩級(jí)低通輸出匹配電路。圖2中串聯(lián)到地的C2fo和L2fo諧振在二次諧波,對(duì)二次諧波呈現(xiàn)出低阻抗....

圖3輸出匹配電路損耗仿真圖

圖3給出了輸出匹配電路損耗仿真結(jié)果�？紤]到實(shí)際的基板會(huì)引入額外插損,仿真電路中添加了0.15dB的衰減器。仿真結(jié)果顯示該寬帶匹配電路在工作頻率范圍內(nèi)的損耗為0.5～0.6dB。由于2fo電路的存在,在整個(gè)二次諧波范圍內(nèi)展現(xiàn)出了很好的頻率抑制效果�？梢钥闯�,正如我們期待的那樣,....

圖4寬帶功率放大器電路圖

一種覆蓋GSM/WCDMA/LTE通信中Band-1/2/3/4/34/39頻段的功率放大器電路如圖4所示。電路采用兩級(jí)設(shè)計(jì),其中Q1為驅(qū)動(dòng)級(jí),Q2為功率級(jí),輸入匹配為高通結(jié)構(gòu),輸出匹配為低通結(jié)構(gòu),級(jí)間采用類Π型匹配結(jié)構(gòu)來增大線性帶寬。此外,驅(qū)動(dòng)級(jí)Q1的集電極和基極之間添加了RC....

本文編號(hào)：3931471