本論文以溴基有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料為研究基礎(chǔ),表征三維和準(zhǔn)二維鈣欽礦材料的光電性質(zhì),制備和優(yōu)化基于三維和準(zhǔn)二維鈣鈦礦的發(fā)光器件,研究此類器件中電荷動(dòng)態(tài)輸運(yùn)及其光電性質(zhì)。具體工作如下:1.通過對(duì)鈣鈦礦膜厚、退火等條件的調(diào)整,制備并優(yōu)化了三維溴基鈣鈦礦(CH3NH3PbBr3)發(fā)光二極管器件,并進(jìn)一步在反溶劑中引入小分子添加劑BCP,制備了基于 ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbBr3:BCP/Bphen/Ag 結(jié)構(gòu)的器件。BCP的摻入,在沒有改變CH3NH3PbBr3晶體結(jié)構(gòu)的情況下,器件性能得到了明顯的提升,得到了較低的啟亮電壓Vturn-on=2.5 V,亮度L=1.4 × 104 cd/m2,電流效率為η=3.2 cd/A。通過一系列的光譜表征、電子輸運(yùn)表征,證明BCP對(duì)三維鈣鈦礦發(fā)光二極管性能提升可歸因于三方面的原因:降低了鈣鈦礦晶粒尺寸;顯著降低缺陷態(tài)密度(nt);優(yōu)化界面,提升電子遷移率(μe)。2.通過PL光譜、紫外吸收光譜、XRD光譜等測(cè)試手段,分析探究不同n值下溴基準(zhǔn)二維鈣鈦礦材料(PEA2(MAPbBr3)n-1PbBr4)的光電性能。制備并優(yōu)化了以n=4...

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－２．不同ｎ值下準(zhǔn)二維鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖

與結(jié)構(gòu)為ＡＢＸ３的三維（３Ｄ）鈣鈦礦材料相比，通式的二維??（２Ｄ）?Ｒｕｄｄｌｅｓｄｅｎ－Ｐｏｐｐｅｒ?qū)訝铨R鈦礦材料在引入較大的有機(jī)間隔燒基胺陽離子Ｌ??后，與ＢＸ６八面體之間的立方體結(jié)構(gòu)不再匹配，如圖１－２所示。ｎ值代表著鈣鈦礦??層數(shù)，ｎ?＝?１時(shí)是純二維層狀鈣鈦礦，ｎ?＝....

圖１－５．不同ｎ值的鈣鈦礦能帶結(jié)構(gòu)，以及ＩＴＯ、Ｔｉ〇２、Ｆ８、Ｍｏ〇３和Ａｕ電極的能帶結(jié)構(gòu)⑶

Ｓｒ－ｍ—１的層狀２ＤＰｅＬＥＤｓ器件。在他們的工作中，將苯乙甚胺（ＰＥＡ＝ＣｓＨ９ＮＨ３）??摻入到ＭＡＰｂｈ中形成ＰＥＡｄＭＡＶｊＰｂｎｈｎ＋ｉ結(jié)構(gòu)，ＰＥＡ的添加將鈣鈦礦從３Ｄ減小??到２Ｄ結(jié)構(gòu)，圖１－５表示了該實(shí)驗(yàn)中不同ｎ值下鈣鈦礦的價(jià)帶頂值（ＶＢＭ）和導(dǎo)帶??

圖１－６．?ＬＥＤ中電損耗的過程的示意圖ｌ１１］

?！?引言??如圖１－６所示，界面相關(guān)的電學(xué)損耗包括界面注入勢(shì)壘高，器件需要更高的電??壓而效率降低；表面缺陷態(tài)的非輻射復(fù)合，降低了?ＰＬＱＹ；載流子注入不平衡，導(dǎo)??致載流子特別是在高亮度高偏壓下在發(fā)光層積聚１１１］。??Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ?ｌｏｓｓ?＾?Ｈ７Ｌ??丨一―．．．....

圖１－７．不同偏壓下的Ｎｙｑｕｉｓｔ阻抗測(cè)試曲線［９，ｌ（）］

外部施加電壓情況下，器件會(huì)形成；結(jié)�；冢校牛系拟}鈦礦器件中的ｐ－／－??？結(jié)使得器件有更高的亮度更低的啟亮電壓。作者進(jìn)一步利用交流阻抗譜研宄了在??不同偏壓條件下的ＭＡＰｂＢｎ－ＰＥＯ復(fù)合薄膜中的；結(jié)的演變，如圖１－７所示，??Ｎｙｑｕｉｓｔ圖可分為低頻、中頻、高頻三個(gè)區(qū)域，其....

本文編號(hào)：3926273