采用膠體晶體模板技術(shù),結(jié)合磁控濺射工藝,制備出光電性能較為優(yōu)異的Ag反點(diǎn)陣列/TiO₂/ITO三明治結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器。通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、XRD、四探針測(cè)試儀及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀對(duì)探測(cè)器的微觀結(jié)構(gòu)和光電性能進(jìn)行了測(cè)試與表征。結(jié)果表明:反點(diǎn)陣列孔徑對(duì)探測(cè)器光電性能影響較為顯著;隨著孔徑增大,探測(cè)器的暗電流逐漸增大,光電流先增大后減小,響應(yīng)時(shí)間逐漸延長(zhǎng);孔徑為4.2μm時(shí),探測(cè)器的光電性能達(dá)到最佳;孔徑較大的反點(diǎn)陣列電極,具有較高的電導(dǎo)率、較低的紫外光透過(guò)率以及較大的光生電子-空穴的復(fù)合概率。

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)材料及方法
    1.1 材料及試劑
    1.2 樣品制備
    1.3 測(cè)試與表征
2 結(jié)果與分析
    2.1 光電性能
    2.2 反點(diǎn)陣列微結(jié)構(gòu)對(duì)光電性能的影響
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3925825