發(fā)布時間：2024-03-10 07:32

　　自2008年惠普實(shí)驗(yàn)室研究出TiO₂憶阻器物理材料模型后,許多的不同材料和性能的憶阻器被相繼研究,國內(nèi)學(xué)者提出了SBT(Sr_0.95Ba_0.05TiO₃)納米憶阻器物理模型,SBT納米憶阻器的工作原理是通過載流子量的變化來改變電阻,實(shí)現(xiàn)憶阻器的功能,其工作原理和TiO₂憶阻器工作原理明顯不同。隨后,又有學(xué)者用SBT憶阻器替換了傳統(tǒng)混沌電路中的非線性元器件,實(shí)現(xiàn)了典型的混沌特性,并發(fā)現(xiàn)基于SBT憶阻器的混沌電路具有復(fù)雜的動力學(xué)特性。分?jǐn)?shù)階憶阻時滯系統(tǒng)中的混沌行為已經(jīng)成為研究的重點(diǎn),本文主要是研究基于不同物理模型憶阻器的分?jǐn)?shù)階時滯混沌系統(tǒng)的動力學(xué)行為,首先提出了一種基于分?jǐn)?shù)階TiO₂憶阻器的時滯非線性混沌電路,根據(jù)分?jǐn)?shù)階微積分理論給出憶阻器的分?jǐn)?shù)階模型,分析了分?jǐn)?shù)階憶阻器的頻率特性和電特性,采用鏈結(jié)構(gòu)電路實(shí)現(xiàn)分?jǐn)?shù)階單元電路,并將混沌電路中的整數(shù)階電容和整數(shù)階憶阻器分別替換成分?jǐn)?shù)階電容和分?jǐn)?shù)階憶阻器,這樣構(gòu)成基于分?jǐn)?shù)階時滯TiO₂憶阻混沌電...

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
        1.1.1 研究背景
        1.1.2 研究意義
    1.2 國內(nèi)外研究狀況
        1.2.1 憶阻器混沌電路研究現(xiàn)狀
        1.2.2 憶阻時滯混沌系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀
    1.3 本文主要研究內(nèi)容及論文結(jié)構(gòu)安排
第二章 憶阻器概念及分?jǐn)?shù)階時滯系統(tǒng)的基礎(chǔ)理論
    2.1 TiO₂ 憶阻器的概念
        2.1.2 HP實(shí)驗(yàn)室的研究模型
        2.1.3 物理器件模型
    2.2 SBT憶阻器模型
        2.2.1 SBT憶阻器的工作機(jī)制
        2.2.2 SBT憶阻器的物理模型
        2.2.3 SBT憶阻器物理模型的理論分析
        2.2.4 SBT納米憶阻器的特點(diǎn)
    2.3 分?jǐn)?shù)階系統(tǒng)理論
        2.3.1 分?jǐn)?shù)階定義
        2.3.2 分?jǐn)?shù)階微分方程的數(shù)值解法
    2.4 時滯系統(tǒng)理論
    2.5 本章小結(jié)
第三章 分?jǐn)?shù)階時滯TiO₂ 憶阻混沌電路系統(tǒng)的動力學(xué)分析
    3.1 引言
    3.2 TiO₂ 憶阻器模型
    3.3 分?jǐn)?shù)階憶阻時滯混沌電路
    3.4 穩(wěn)定性分析
    3.5 仿真結(jié)果
        3.5.1 系統(tǒng)參數(shù)對系統(tǒng)動力學(xué)的影響
        3.5.2 共存分岔
    3.6 章節(jié)小結(jié)
第四章 分?jǐn)?shù)階時滯SBT憶阻混沌電路的動力學(xué)分析
    4.1 引言
    4.2 分?jǐn)?shù)階時滯SBT憶阻混沌電路
        4.2.1 SBT憶阻器的磁通控制數(shù)學(xué)模型
        4.2.2 分?jǐn)?shù)階時滯SBT憶阻器混沌電路的構(gòu)建
    4.3 穩(wěn)定性分析
    4.4 分?jǐn)?shù)階時滯SBT憶阻混沌系統(tǒng)的數(shù)值模擬
    4.5 章節(jié)小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 論文總結(jié)
    5.2 研究展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的學(xué)術(shù)成果
致謝



本文編號：3924451