太赫茲波為0.1Thz¹0THz的電磁波,和其他頻段相比,太赫茲技術(shù)的應(yīng)用還不成熟,主要是因為缺乏有效的太赫茲源和太赫茲檢測設(shè)備。目前主流的太赫茲波段的探測器有混頻接收機(jī)、輻射熱測定器、超導(dǎo)接收機(jī)和二極管直接檢波接收機(jī)等。輻射熱測定器和超導(dǎo)接收機(jī)需要在低溫環(huán)境下工作,混頻接收機(jī)有著較高的靈敏度和較好的噪聲系數(shù),多用于航天遙感、深空探測等對靈敏度要求比較高的領(lǐng)域,但是電路結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,造價也比較昂貴。相比之下,肖特基二極管構(gòu)成的直接檢波接收機(jī)具有很快的反應(yīng)時間,室溫環(huán)境下就可以使用,造價也相對比較便宜,同時還具有結(jié)構(gòu)簡單、不需要本振、功耗低、體積小的優(yōu)點。肖特基二極管是太赫茲領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛的二極管,常被用于設(shè)計混頻器、倍頻器、檢波器等器件的設(shè)計中。它的SPICE參數(shù)表征了二極管的基本特性,是仿真設(shè)計中非常重要的參數(shù),本文通過理論方法和基于ADS的優(yōu)化方法利用實測的I-V曲線數(shù)據(jù)提取了二極管的SPICE參數(shù)。肖特基二極管本身存在一些寄生參量,設(shè)計微波毫米波電路的時候一般沒有考慮其影響,但是在太赫茲頻段,寄生參量將將對電路產(chǎn)生較大影響。本文根據(jù)二極管的模型結(jié)構(gòu)分析了其...

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖3二極管去嵌結(jié)構(gòu)(a)open.(b)short.(c)待測二極管.

法。該方法較好的實現(xiàn)了寄生參數(shù)的完整提取，但是迭代面臨收斂性的問題，而且過程比較復(fù)雜。我們提出了一種單端口三結(jié)構(gòu)參數(shù)提取方法[5]，通過測量二極管三種輔助結(jié)構(gòu)的單端口S參數(shù)，逐步完成二極管的寄生參數(shù)提齲由于二極管的陽極和陰極面積很小，很難直接測量二極管本身的S參數(shù)，所以采用將二極....

圖4三種二極管輔助結(jié)構(gòu)(a)Diodeopen.(b)Diodeshort.(c)Diodepinopen.

玫氖迪至思納?問?耐?整提取，但是迭代面臨收斂性的問題，而且過程比較復(fù)雜。我們提出了一種單端口三結(jié)構(gòu)參數(shù)提取方法[5]，通過測量二極管三種輔助結(jié)構(gòu)的單端口S參數(shù)，逐步完成二極管的寄生參數(shù)提齲由于二極管的陽極和陰極面積很小，很難直接測量二極管本身的S參數(shù)，所以采用將二極管內(nèi)嵌到GS....

圖2-2肖特基結(jié)和PN結(jié)伏安特性

第二章肖特基二極管和檢波器基本理論基二極管在陽極金屬和半導(dǎo)體的接觸面上形成一個內(nèi)建場，外電子的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消，總電流為零；外加正電壓弱，半導(dǎo)體側(cè)的勢壘減小，形成正向電流，而且隨著電壓增大，大；外加負(fù)電壓的時候，內(nèi)建場增大，半導(dǎo)體側(cè)的勢壘增大，反，肖特基二極管也具有單....

圖2-4肖特基結(jié)阻抗變化曲線

01/2s(V)(V)(1)jjCCV建電壓，Cj0為外加電壓為零時候的結(jié)電容，表示1/20s()2epidjqNCS子電荷，epi為外延層的介電常數(shù)，Nd為摻雜濃度Cj的存在，隨著頻率升高，肖特基結(jié)的阻抗會急阻抗值隨頻率變化的曲線如圖2-4所示，當(dāng)....

本文編號：3918284