太赫茲二極管檢波器設(shè)計(jì)
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖3二極管去嵌結(jié)構(gòu)(a)open.(b)short.(c)待測(cè)二極管.
法。該方法較好的實(shí)現(xiàn)了寄生參數(shù)的完整提取,但是迭代面臨收斂性的問題,而且過程比較復(fù)雜。我們提出了一種單端口三結(jié)構(gòu)參數(shù)提取方法[5],通過測(cè)量二極管三種輔助結(jié)構(gòu)的單端口S參數(shù),逐步完成二極管的寄生參數(shù)提齲由于二極管的陽極和陰極面積很小,很難直接測(cè)量二極管本身的S參數(shù),所以采用將二極....
圖4三種二極管輔助結(jié)構(gòu)(a)Diodeopen.(b)Diodeshort.(c)Diodepinopen.
玫氖迪至思納?問?耐?整提取,但是迭代面臨收斂性的問題,而且過程比較復(fù)雜。我們提出了一種單端口三結(jié)構(gòu)參數(shù)提取方法[5],通過測(cè)量二極管三種輔助結(jié)構(gòu)的單端口S參數(shù),逐步完成二極管的寄生參數(shù)提齲由于二極管的陽極和陰極面積很小,很難直接測(cè)量二極管本身的S參數(shù),所以采用將二極管內(nèi)嵌到GS....
圖2-2肖特基結(jié)和PN結(jié)伏安特性
第二章肖特基二極管和檢波器基本理論基二極管在陽極金屬和半導(dǎo)體的接觸面上形成一個(gè)內(nèi)建場(chǎng),外電子的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消,總電流為零;外加正電壓弱,半導(dǎo)體側(cè)的勢(shì)壘減小,形成正向電流,而且隨著電壓增大,大;外加負(fù)電壓的時(shí)候,內(nèi)建場(chǎng)增大,半導(dǎo)體側(cè)的勢(shì)壘增大,反,肖特基二極管也具有單....
圖2-4肖特基結(jié)阻抗變化曲線
01/2s(V)(V)(1)jjCCV建電壓,Cj0為外加電壓為零時(shí)候的結(jié)電容,表示1/20s()2epidjqNCS子電荷,epi為外延層的介電常數(shù),Nd為摻雜濃度Cj的存在,隨著頻率升高,肖特基結(jié)的阻抗會(huì)急阻抗值隨頻率變化的曲線如圖2-4所示,當(dāng)....
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