為了提高大功率功率變換器的可靠性,需要對大功率絕緣柵雙極型晶體管IGBT (insulated gate bipolar transistor)模塊進行溫度監(jiān)測,到目前為止,對高壓IGBT的研究較少。搭建了雙脈沖實驗平臺,對4.5 kV、1.2 kA IGBT模塊開關瞬態(tài)時的熱敏感電參數(shù)進行了測量,并對每個參數(shù)是否適用于在線結溫提取以及預期成本進行了討論。結果表明,大多數(shù)參數(shù)除溫度外還受負載電流和母線電壓的影響,最合適的結溫提取參數(shù)是準閾值電壓和開通時集電極電流變化率,它們都可以通過IGBT的寄生電感來獲取。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

圖8不同溫度下的關斷延遲時間實驗結果

第13期孫鵬飛等：基于關斷延遲時間的大功率IGBT模塊結溫提取方法研究3371Tj=75℃uEe5(/V格)t(500ns/格)Tj=50℃Tj=25℃Tj=100℃Tj=125℃圖8不同溫度下的關斷延遲時間實驗結果Fig.8Experimentalresultsofturn-o....

圖15功率循環(huán)檢測數(shù)據(jù)點Fig.15Powercycledetectiondatapoint

眉尤鵲緦鰲⒓尤仁奔�、冷仍~奔�、�?涔?率、環(huán)境溫度和失效判定依據(jù)等參數(shù)對IGBT模塊進行功率循環(huán)測試，并采集結溫、殼溫與導通壓降等數(shù)據(jù)，對仿真分析與焊料層疲勞壽命進行驗證。4）當IGBT模塊焊料層開始萌生裂紋時，模塊結溫和熱阻會有一個明顯的上升，可針對結溫和熱阻對IGBT模塊進行....

圖2實驗平臺

為了研究IGBT開關瞬態(tài)與結溫的關系，本文搭建了雙脈沖測試平臺，如圖2所示，實驗電路如圖3所示。通過IGBT的開關瞬變來提取TSEP。測試器件T1采用日立4.5kV、1.2kA的IGBT(MBN1200H45E2-H);D1采用英飛凌的4.5kV二極管（DD1200....

圖3實驗平臺電路及IGBT寄生參數(shù)分布

圖2實驗平臺實驗測得的IGBT開關波形如圖4所示，根據(jù)IGBT的開關波形，可以提取許多不同的開關參數(shù)，例如閾值電壓、延遲時間、上升時間等。但是一些TSEP還強烈依賴于電壓和電流，還必須確定它們對其他參數(shù)的依賴性。閾值電壓VTH是集電極電流導通的最小門極電壓，不易直接去測量，本實....

本文編號：3913131