利用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上沉積ZnO-0.25mol%V₂O₅(ZnO∶V)薄膜,研究了O₂/(O₂+Ar)流量比(0%⁸7.5%)對ZnO∶V薄膜中缺陷的影響。研究結(jié)果表明:沉積的ZnO∶V薄膜為具有c軸取向的纖鋅礦結(jié)構(gòu),V以五價(jià)和四價(jià)形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷態(tài)為氧空位(V_O)和間隙鋅(Zn_i)雜化形成的復(fù)合體,兩者比例隨O₂/(O₂+Ar)流量比而變化。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
    2.1 薄膜的制備
    2.2 薄膜樣品的測試
3 結(jié)果與討論
    3.1 O2/(O2+Ar)流量比對Zn O∶V薄膜結(jié)構(gòu)的影響
    3.2 Zn O∶V薄膜的XPS分析
    3.3 Zn O∶V薄膜的PL分析
4 結(jié)論



本文編號：3910056