納米尺度的金屬半導(dǎo)體材料一般會(huì)表現(xiàn)出較之于塊狀材料更加優(yōu)越的光電效應(yīng)以及更加明顯的量子效應(yīng),使其目前在能源、信息、科技、航空航天領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景。本論文中,我們就兩方面的工作內(nèi)容進(jìn)行了探討。第一部分工作介紹了磁調(diào)控的光電響應(yīng),我們?cè)诩{米顆粒金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)中,發(fā)現(xiàn)了一種顯著的磁調(diào)控側(cè)向光伏現(xiàn)象。并且這種光電現(xiàn)象依賴于兩個(gè)電極所處的位置,其中最大的側(cè)向光伏變化率可達(dá)到94.15%,這一結(jié)果突破了以往所報(bào)道的磁調(diào)控側(cè)向光伏的變化率,有效地克服了傳統(tǒng)的側(cè)向光伏器件對(duì)外加磁場(chǎng)靈敏度不高的功能缺陷。通過對(duì)側(cè)向光伏形成機(jī)理的討論,我們將這種效應(yīng)背后的物理機(jī)制歸因于邊緣效應(yīng)對(duì)光生載流子的非對(duì)稱擴(kuò)散的影響。本工作基于納米層面的對(duì)樣品結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),獲取了對(duì)小磁場(chǎng)敏感的光電器件,進(jìn)而大大擴(kuò)寬了側(cè)向光伏元件的一大功能,且對(duì)新型光電效應(yīng)中理論機(jī)制的長(zhǎng)足發(fā)展具有深遠(yuǎn)的意義。第二部分工作介紹了光控電阻開關(guān)效應(yīng),我們通過磁控濺射的方法制備了具有金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)的多批樣品,例如:Ag-ZnO-Si和Ag-Ta₂O₅-Ag-Si等,研...

【文章頁(yè)數(shù)】：89 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1（a）側(cè)向光伏效應(yīng)的測(cè)量圖（b）側(cè)向光伏和位置成線性關(guān)系

側(cè)向光伏效應(yīng)指的是：當(dāng)一束激光照射在p-n結(jié)、肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)上時(shí)，在激光的同側(cè)位置的不同部位，由于光生載流子的濃度差造成電勢(shì)差的現(xiàn)象。按種類分，光伏效應(yīng)（Photovoltaiceffect）可以分為縱向光伏效應(yīng)（TransversePhotovoltaicEffect，TP....

圖1-2p＋-n結(jié)結(jié)構(gòu)中LPE的電荷的移動(dòng)、電勢(shì)的分布以及能帶結(jié)構(gòu)的示意圖

上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文圖1-2中可知，當(dāng)p-n結(jié)上的A點(diǎn)受到點(diǎn)光源的照射時(shí)，由于光，A點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)縱向光伏VA。如果這里的p區(qū)是重?fù)诫s的，用n區(qū)的電導(dǎo)率相差較大（p區(qū)電導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于n區(qū)），那么我們就體視為一個(gè)等勢(shì)體，這時(shí)n區(qū)的空穴發(fā)生遷移會(huì)在p....

圖1-3具有不同電導(dǎo)率的p-n結(jié)中，載流子的擴(kuò)散輸運(yùn)圖

圖1-4鐵電存儲(chǔ)器的電滯回線[12]Figure1-4Ferroelectricmemoryhysteresisloop存儲(chǔ)器（MRAM）對(duì)信息的存儲(chǔ)主要是利用隧道磁阻效應(yīng)來下兩塊納米級(jí)的鐵磁體，這兩塊磁體中間有一層很薄下面的鐵磁層是參考磁性層，它有著固定的磁化方向....

圖1-4鐵電存儲(chǔ)器的電滯回線

圖1-5磁阻存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)示意圖Figure1-5SchematicdiagramofMRAM（三）相變存儲(chǔ)器相變存儲(chǔ)器（PRAM）主要是利用硫系化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)之間轉(zhuǎn)變時(shí)導(dǎo)能的變化完成信息存儲(chǔ)，而這種轉(zhuǎn)變是利用焦耳熱效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的。如圖1-6，常見的相變存儲(chǔ)器都....

本文編號(hào)：3903845