針對電子負(fù)載對響應(yīng)快,控制準(zhǔn)的測試性能需要,提出基于移相全橋隔離型拓?fù)涞呢?fù)載模擬電路,設(shè)計(jì)基于LEM傳感器和LF353M的比例運(yùn)算信號調(diào)理電路,并提出自組織型模糊控制的電流PI單閉環(huán)策略。對功率傳遞下的移相全橋電路作小信號等效電路模型并推理出輸入電流與控制移相角的傳遞函數(shù),并結(jié)合相位裕度穩(wěn)定法設(shè)計(jì)PI校正器。最后,設(shè)計(jì)并通過自組織變論域改進(jìn)模糊控制器,從而串聯(lián)PI校正器進(jìn)行參數(shù)智能調(diào)整。通過仿真驗(yàn)證和實(shí)驗(yàn)表明,在7 A的輸入電流工況下,自組織模糊控制PI策略實(shí)現(xiàn)在7 ms內(nèi)到達(dá)穩(wěn)態(tài),且穩(wěn)態(tài)誤差在3%以內(nèi),相比于常規(guī)PI與常規(guī)模糊控制,具有更良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和穩(wěn)態(tài)性能。

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

圖1隔離型能饋電子負(fù)載硬件系統(tǒng)

以TI公司DSP芯片TMS320F2808為控制核心，UC3843智能控制反激電路為輔助電源，通過LEM霍爾電流傳感器為電流采樣。為了實(shí)現(xiàn)多負(fù)載特性模擬功能，選用寬輸入電壓的移相全橋拓?fù)�。該隔離型能饋電子負(fù)載的基本工作過程是：直流恒壓源輸入190～390V的電壓范圍，前級移相全....

圖2負(fù)載模擬能量電路拓?fù)?br>
如圖2所示，ZVS移相全橋利用Lr電感與MOS管旁路電容的諧振作用，通過開關(guān)管旁路電容充放電實(shí)現(xiàn)電壓阻尼性，以及并聯(lián)自然續(xù)流二極管減小電流應(yīng)力，大大降低電壓應(yīng)力帶來的電磁干擾和損耗，提高整機(jī)效率和控溫性能，從而在20kHz開關(guān)頻率下獲得更大的功率密度[4]。移相全橋采取升壓控制....

圖3輸入電流調(diào)理電路圖

其中Iin表示輸入電流值，S表示LEM電流傳感器靈敏度41.67mV/A。Iin=15A時(shí)，VIin-DSP=2.5V，滿足DSP芯片ADC模塊輸入規(guī)范。通過Multisim軟件對信號調(diào)理電路進(jìn)行仿真。電流采樣輸入VIin疊加電路無源器件引起的熱噪聲，由并網(wǎng)瞬時(shí)功率波動(dòng)引....

圖4輸入電流采樣調(diào)理Multisim仿真圖

輸入電流單閉環(huán)控制基本框圖如圖5所示，其中GPSFB是移相全橋PWM比例慣性環(huán)節(jié)，為了簡化分析，令圖5輸入電流單閉環(huán)控制框圖

本文編號：3901355