非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(a-IGZO TFT)是一種代表性的氧化物TFT,其應(yīng)用領(lǐng)域不僅局限于平板顯示,也延伸到集成傳感器、基于TFT的集成電路等領(lǐng)域,探索具有新原理和新結(jié)構(gòu)的TFT對于擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域具有重要意義。本文在電阻柵場效應(yīng)晶體管(ROS管)啟發(fā)下,提出一種電阻柵氧化物TFT和一種平面分離雙柵氧化物TFT,并對其電特性進(jìn)行理論和實(shí)驗(yàn)研究。論文的主要研究工作和結(jié)果包括:(1)設(shè)計(jì)了電阻柵薄膜晶體管,對該結(jié)構(gòu)器件的工作原理進(jìn)行分析,利用TCAD-Silvaco工具對電阻柵a-IGZO TFT進(jìn)行電特性仿真。仿真結(jié)果表明,該器件的電特性受兩個柵端電極動態(tài)調(diào)控,可呈現(xiàn)銳截止、遙截止和不截止工作狀態(tài),這來源于電阻柵的兩個分離柵極之間有分布電場,可調(diào)控垂直溝道方向半導(dǎo)體的表面勢以及表面電子濃度。隨著控制端柵電壓V_GS2增大(-10 V¹0 V),閾值電壓從5.52 V調(diào)控到3.40 V,亞閾值擺幅從1.15 V/dec增大至5.59 V/dec,關(guān)態(tài)電流從2.66×10^-1212 A提升至3.19×10^-7

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1金屬氧化物薄膜晶體管示意圖

圖1-1金屬氧化物薄膜晶體管示意圖隨著工藝技術(shù)水平的不斷提高，各種單柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管已被廣泛研究。根據(jù)柵電極在器件中的相對位置，可以分為頂柵結(jié)構(gòu)（topgate）和底柵結(jié)構(gòu)（bottomgate）；根據(jù)源漏電極和有源層的沉積先后，又可以分為頂接觸（topcontact....

圖1-2（a）刻蝕阻擋型（b）背溝道刻蝕型（c）頂柵型結(jié)構(gòu)（d）自對準(zhǔn)型結(jié)構(gòu)

第一章緒論圖1-1金屬氧化物薄膜晶體管示意圖工藝技術(shù)水平的不斷提高，各種單柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管已被廣泛研究。根件中的相對位置，可以分為頂柵結(jié)構(gòu)（topgate）和底柵結(jié)構(gòu)（bottomg電極和有源層的沉積先后，又可以分為頂接觸（topcontact）和底接觸（結(jié)構(gòu)。圖....

圖1-3截止區(qū)有源層中導(dǎo)電溝道的形狀及對應(yīng)的輸出特性曲線示意圖

圖1-3截止區(qū)有源層中導(dǎo)電溝道的形狀及對應(yīng)的輸出特性曲線示意圖電壓VGS大于器件的閾值電壓Vth時，由于垂直電場較大，在有源層感生大量的電子，形成以多子積累的導(dǎo)通溝道。施加較小的源漏電壓可導(dǎo)通，形成源漏電流IDS。當(dāng)源漏電壓VDS較小時，電流IDS隨著源化，器件從截....

圖1-4線性區(qū)有源層中導(dǎo)電溝道的形狀及對應(yīng)的輸出特性曲線示意圖

圖1-3截止區(qū)有源層中導(dǎo)電溝道的形狀及對應(yīng)的輸出特性曲線示意圖電壓VGS大于器件的閾值電壓Vth時，由于垂直電場較大，在有源層感生大量的電子，形成以多子積累的導(dǎo)通溝道。施加較小的源漏電壓可導(dǎo)通，形成源漏電流IDS。當(dāng)源漏電壓VDS較小時，電流IDS隨著源化，器件從截....

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