塵土顆粒影響下電路板電化學(xué)遷移失效壽命建模探索
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【部分圖文】:
圖1梳狀電路板樣品
測試樣品采用FR-4梳狀印制電路板,設(shè)計(jì)參照標(biāo)準(zhǔn)IPC-B-25A,如圖1所示.鍍銀層厚度為0.15μm,平行線路之間的距離為0.32mm,每塊電路板上有3個(gè)相同的梳狀線路.1.3電化學(xué)遷移的實(shí)驗(yàn)條件和方法
圖23種實(shí)驗(yàn)條件下梳狀電路板樣品的表面絕緣電阻
圖2給出了3種實(shí)驗(yàn)條件下的梳狀電路板樣品24h的表面絕緣電阻曲線.對于65℃、90%RH、550μg/cm2和20V偏置電壓條件下的電路板樣品,最初表面絕緣電阻在109Ω左右,85min時(shí),表面絕緣電阻突然下降到106Ω,并在106~107Ω波動(dòng),232min后,電路板的....
圖3溫濕偏置實(shí)驗(yàn)后電路板樣品晶枝形貌
用光學(xué)顯微鏡觀察實(shí)驗(yàn)后的電路板樣品如圖3所示,可見,在印制電路板上形成了明顯的樹枝狀組織———晶枝.陽極的金屬被氧化成陽離子,在電場力的作用下在電路板表面水膜中遷移至陰極,被還原成為金屬原子,逐漸從陰極向陽極生長成樹枝狀金屬沉積物———晶枝,這是產(chǎn)生電路板線間表面絕緣電阻下降的根....
圖4電路板電化學(xué)遷移失效時(shí)間與顆粒分布密度的關(guān)系
以85℃、93%RH、12V偏置電壓、顆粒分布密度為0~650μg/cm2條件下的電路板電化學(xué)遷移失效時(shí)間曲線為例,討論塵土顆粒分布密度對電路板電化學(xué)遷移失效時(shí)間的影響.電路板電化學(xué)遷移失效時(shí)間與塵土顆粒分布密度的關(guān)系如圖4所示,每個(gè)點(diǎn)為3次實(shí)驗(yàn)壽命數(shù)據(jù)威布爾擬合的特征壽命值.....
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