第三代半導(dǎo)體材料即寬禁帶半導(dǎo)體,與第一代和第二代半導(dǎo)體相比具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高壓、高溫、大功率及強(qiáng)輻射等惡劣條件的新要求。尤其在透明光電子器件領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體由于具有優(yōu)良的光學(xué)性能,在透明薄膜晶體管、平面顯示、紫外探測(cè)器、發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器等領(lǐng)域有著極其廣泛的應(yīng)用前景。憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場(chǎng)前景,寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。二氧化鈦(TiO₂)是一種寬禁帶透明氧化物半導(dǎo)體,禁帶寬度在3.0 eV以上,具有物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、安全無毒、儲(chǔ)量多、成本低等優(yōu)點(diǎn),近年來在物理、化學(xué)、醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域得到了廣泛的關(guān)注與研究。此外,由于TiO₂折射率高,在可見光和近紅外光區(qū)具有優(yōu)良的光學(xué)透過率等特點(diǎn),在透明光電器件領(lǐng)域有很大的應(yīng)用前景。采用傳統(tǒng)的薄膜制備工藝如濺射、電子束蒸發(fā)、溶膠凝膠等方法制備的TiO₂薄膜多為多晶或納米結(jié)構(gòu),結(jié)晶質(zhì)量比較差,薄膜性能不穩(wěn)定。TiO₂主要有三種結(jié)構(gòu):銳鈦礦(anatase)、金紅石(rutile)和板鈦礦...

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－２－１三種不同晶型Ｔｉ０２晶格結(jié)構(gòu)示意圖：（ａ）板鈦礦、（ｂ）金紅石、（ｃ）銳鈦礦??．－－

１－２－１三種不同晶型Ｔｉ０２晶格結(jié)構(gòu)示意圖：（ａ）板鈦礦、（ｂ）金紅石、（ｃ）銳１－２－１?Ｔｈｒｅｅ?ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ?ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ?ｏｆ?Ｔｉ〇２：?（ａ）?ｂｒｏｏｋｉｔｅ，?（ｂ）?ｒｕｔｉｌｅ，?（ｃ）?ａｎａ化鈦在自然界中有三種晶體結(jié)構(gòu)，分....

圖２－１－１?ＭＯＣＶＤ方法反應(yīng)過程示意圖??Ｆｉｇ．?２－１－１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｒｅａｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｉｎ?ＭＯＣＶＤ??１８??

圖２－１－１?ＭＯＣＶＤ方法反應(yīng)過程示意圖??Ｆｉｇ．?２－１－１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｒｅａｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｉｎ?ＭＯＣＶＤ??１８??

圖２－１－２本論文所使用的ＭＯＣＶＤ設(shè)備照片??Ｆｉｇ．?２－１－２?Ｔｈｅ?ｐｈｏｔｏ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＭＯＣＶＤ?ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ?ｕｓｅｄ?ｉｎ?ｔｈｉｓ?ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ??

?山東大學(xué)博士學(xué)位論文???２．１．２本論文所用的ＭＯＣＶＤ系統(tǒng)??本論文所采用的系統(tǒng)是國(guó)產(chǎn)定制的立式高溫高真空ＭＯＣＶＤ設(shè)備，其中干??泵、分子泵、蝶閥、不銹鋼氣路管道、閥門、惰性氣體純化器等主要部件全部進(jìn)??口，質(zhì)量流量控制器和壓力控制器及其控制系統(tǒng)采用美國(guó)ＭＫＳ公司產(chǎn)品，由....

圖２－１－３進(jìn)樣室與反應(yīng)室??Ｆｉｇ．?２－１－３?Ｔｈｅ?ｄｅｌｉｖｅｒ?ｃｈａｍｂｅｒ?ａｎｄ?ｒｅａｃｔｉｏｎ?ｃｈａｍｂｅｒ??

山東大學(xué)博士學(xué)位論文???統(tǒng)??氣路部分包括儲(chǔ)存載氣和反應(yīng)氣體的鋼瓶、氣體純化器、金屬有機(jī)??、氣體輸運(yùn)管道和閥門等。對(duì)于１１０２薄膜的制備實(shí)驗(yàn)，系統(tǒng)采用??純度Ｎ２，在經(jīng)過惰性氣體純化器提純之后其純度可以達(dá)到??９％）。系統(tǒng)采用的反應(yīng)氣體為０２，純度為５Ｎ。實(shí)驗(yàn)采用的Ｍ０源??....

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