基于砷化鎵晶體管的1.35~2.0GHz低噪聲放大器
發(fā)布時(shí)間:2024-01-21 09:29
低噪聲放大器(Low Noise Amplifier, LNA)是接收機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵器件,其性能決定了接收機(jī)系統(tǒng)的噪聲溫度和對微弱射電信號的放大能力。采用Avago公司砷化鎵(GaAs)工藝的pHEMT ATF-54134研制了一款可工作在1.35~2.0 GHz頻率范圍內(nèi)的低噪聲放大器。該放大器采用兩級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),單電源自偏置供電,典型增益28 dB,典型噪聲溫度35 K,輸入回波損耗優(yōu)于-10 dB,輸出回波損耗優(yōu)于-15 dB,輸入1 dB壓縮點(diǎn)為-13 dBm。該放大器除了可用于對中性氫、脈沖星和羥基進(jìn)行觀測的射電望遠(yuǎn)鏡接收機(jī)以外,還可用于電波環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)。
【文章頁數(shù)】:7 頁
【文章目錄】:
1 電路設(shè)計(jì)
1.1 最小噪聲匹配及偏置工作點(diǎn)
1.2 電路圖仿真
2 低噪聲放大器制作和測試
2.1 印制電路板工藝
2.2 低噪聲放大器測試結(jié)果
3 結(jié) 論
本文編號:3881713
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1 電路設(shè)計(jì)
1.1 最小噪聲匹配及偏置工作點(diǎn)
1.2 電路圖仿真
2 低噪聲放大器制作和測試
2.1 印制電路板工藝
2.2 低噪聲放大器測試結(jié)果
3 結(jié) 論
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