為了實現(xiàn)三耦合線Marchand巴倫的快速設計,縮小巴倫的尺寸,提出了一種簡化的三耦合線Marchand巴倫等效模型及小型化設計方法。該等效模型將復雜的三耦合線的S參數(shù)散射矩陣的計算問題簡化為對兩個并聯(lián)的平行耦合線的S參數(shù)散射矩陣的計算。為了驗證該模型和設計方法的有效性,采用0. 1μm砷化鎵pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工藝制作了一款75～110 GHz的單平衡混頻芯片,最終應用于單平衡混頻器的巴倫耦合線長度被縮減為中心頻率1/4波長的44%。良好的混頻器性能和緊湊的芯片面積證明了所提三耦合線巴倫的等效模型和設計方法能夠為單片集成微波電路芯片的設計提供指導作用。

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