工作在日盲區(qū)(200²80nm)的紫外光電導(dǎo)傳感器,不容易受自然環(huán)境干擾,在日光環(huán)境下仍然能夠進(jìn)行探測(cè),誤報(bào)率低,具有獨(dú)特的探測(cè)優(yōu)勢(shì),在宇宙探索、導(dǎo)彈追蹤、火焰預(yù)警等軍事及民用領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。β-Ga₂O₃薄膜光電導(dǎo)傳感器,材料為金屬氧化物容易獲取,可通過磁控濺射或者分子束外延方式制備較好的感光薄膜,制備工藝簡(jiǎn)單,成本較低,且禁帶寬度為4.9eV,不需要進(jìn)行摻雜即可工作在日盲波段,探測(cè)背景極為干凈,是制備日盲紫外探測(cè)的理想材料。但光電導(dǎo)響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng),在秒量級(jí),需對(duì)影響其時(shí)間響應(yīng)性能條件進(jìn)行進(jìn)一步研究。目前對(duì)于β-Ga₂O₃光電導(dǎo)探測(cè)研究?jī)H限于探針臺(tái)測(cè)試環(huán)境,響應(yīng)性能并不能完全體現(xiàn)在具體電路應(yīng)用中,對(duì)具體應(yīng)用還需進(jìn)一步測(cè)試。探測(cè)發(fā)現(xiàn)探針臺(tái)能夠探測(cè)到極小的光生電流,但對(duì)于具體電路探測(cè)而言,由于探測(cè)精度及電阻反饋型探測(cè)電路動(dòng)態(tài)范圍約束,使得弱光探測(cè)較為困難,需要對(duì)探測(cè)電路進(jìn)行優(yōu)化。且Ga₂O₃光電導(dǎo)探測(cè)及成像陣列在國(guó)內(nèi)幾乎沒有具體應(yīng)...

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 紫外探測(cè)發(fā)展現(xiàn)狀
    1.3 課題研究工作的目的和意義
    1.4 本論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 紫外光電導(dǎo)探測(cè)概述
    2.1 紫外傳感器類型及探測(cè)原理
    2.2 紫外光電導(dǎo)探測(cè)器
    2.3 紫外探測(cè)主要性能參數(shù)
    2.4 本章小結(jié)
第三章 Ga₂O₃光電導(dǎo)傳感器的制備
    3.1 Ga₂O₃傳感器的制備
        3.1.1 β-Ga₂O₃傳感器結(jié)構(gòu)
        3.1.2 β-Ga₂O₃傳感器制備過程
    3.2 藍(lán)寶石基片退火條件測(cè)試
        3.2.1 退火過程
        3.2.2 退火器件性能測(cè)試
    3.3 本章小結(jié)
第四章 Ga₂O₃光電導(dǎo)傳感器的測(cè)試
    4.1 探測(cè)器封裝及轉(zhuǎn)接板的焊接
    4.2 測(cè)試環(huán)境搭建及測(cè)試方式選取
    4.3 基本探測(cè)電路架構(gòu)
    4.4 光電導(dǎo)探測(cè)器響應(yīng)特性測(cè)試
        4.4.1 光暗電流IV響應(yīng)測(cè)試
        4.4.2 光強(qiáng)響應(yīng)度測(cè)試
        4.4.3 波長(zhǎng)響應(yīng)度測(cè)試
        4.4.4 時(shí)間響應(yīng)度測(cè)試
    4.5 時(shí)間響應(yīng)影響因素測(cè)試
        4.5.1 退火時(shí)間影響測(cè)試
        4.5.2 偏置電壓影響測(cè)試
        4.5.3 應(yīng)力影響測(cè)試
        4.5.4 叉指寬度影響測(cè)試
        4.5.5 薄膜質(zhì)量影響測(cè)試
    4.6 本章小結(jié)
第五章 探測(cè)電路的優(yōu)化
    5.1 高精度大動(dòng)態(tài)范圍探測(cè)電路
    5.2 數(shù)字化探測(cè)電路單元
    5.3 像素陣列仿真
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
攻碩期間取得的研究成果



本文編號(hào)：3872569