隨著氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)的效率、亮度、壽命等參數(shù)的進(jìn)一步提升和成本的持續(xù)下降,GaN基LED正在逐漸取代傳統(tǒng)光源在通用照明、液晶顯示器背光源等領(lǐng)域的應(yīng)用。為了增大LED的可應(yīng)用性和應(yīng)用范圍,我們往往需要加大LED的注入電流或發(fā)光面積以提高LED的功率,然而這種操作會(huì)導(dǎo)致LED的電流擴(kuò)展性能和發(fā)光效率大大下降。高壓LED是一種集成式芯片,將一塊芯片分割成數(shù)個(gè)互聯(lián)的發(fā)光單元,使得LED在高壓低電流的狀態(tài)下工作,與同樣的傳統(tǒng)大功率LED相比,高壓LED的電流擴(kuò)展性能和發(fā)光效率得到了提高。本文在提高GaN基高壓LED的光電性能,主要的設(shè)計(jì)參數(shù)的優(yōu)化問題上進(jìn)行了深入的研究,主要研究?jī)?nèi)容如下:(1)針對(duì)粗化p-GaN技術(shù)存在的電極色差問題,設(shè)計(jì)了一個(gè)優(yōu)化的粗化p-GaN技術(shù),既可以提高GaN基LED的光提取效率還可以避免一般的粗化p-GaN技術(shù)存在的色差問題。(2)針對(duì)GaN基LED的電流擴(kuò)展瓶頸,設(shè)計(jì)了叉指型電極結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)焊盤和叉指型兩種電極結(jié)構(gòu)的仿真對(duì)比中,證明了叉指型電極結(jié)構(gòu)在提高GaN基LED的電流擴(kuò)展能力上的優(yōu)越性;針對(duì)GaN...

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 本課題的研究背景與意義
    1.2 LED簡(jiǎn)介
    1.3 GaN基高壓LED簡(jiǎn)介
    1.4 GaN基高壓LED的研究現(xiàn)狀
    1.5 本課題的主要研究?jī)?nèi)容
第2章 優(yōu)化的粗化p-GaN技術(shù)
    2.1 實(shí)驗(yàn)原理
    2.2 樣品制備
    2.3 結(jié)果分析
    2.4 本章小結(jié)
第3章 GaN基高壓LED電學(xué)性能的研究
    3.1 電極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
    3.2 正向漏電流研究
    3.3 本章小結(jié)
第4章 隔離溝槽的形態(tài)對(duì)GaN基高壓LED光電性能的影響
    4.1 實(shí)驗(yàn)原理
    4.2 樣品制備
    4.3 結(jié)果分析
    4.4 本章小結(jié)
第5章 交流GaN基高壓LED的設(shè)計(jì)優(yōu)化
    5.1 實(shí)驗(yàn)原理
    5.2 樣品制備
    5.3 直流和交流GaN基高壓LED的對(duì)比分析
    5.4 交流高壓LED的設(shè)計(jì)優(yōu)化
    5.5 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
附錄:攻讀碩士期間取得的研究成果
致謝



本文編號(hào)：3872131