在過(guò)去幾十年內(nèi),SiGe異質(zhì)結(jié)的外延質(zhì)量得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。然而,由于Si、Ge皆為間接帶隙半導(dǎo)體,電子從價(jià)帶躍遷是不能直接進(jìn)入導(dǎo)帶而需要額外的復(fù)合過(guò)程,這就降低了其光電器件的性能,限制了它們?cè)诠怆娖骷械膽?yīng)用。這時(shí),一種新型的合金材料GeSn合金進(jìn)入了大家的視野。硅基GeSn紅外探測(cè)器由于其禁帶寬度隨Sn含量可變化,而且GeSn材料可以將載流子有效質(zhì)量降低,從而能較大提升載流子遷移率,因而在高效光子器件、紅外光電器件等方面有著比較大的適用范圍。石墨烯是一種很有前景的超寬帶光電探測(cè)器材料,其吸收光譜覆蓋了整個(gè)紫外到遠(yuǎn)紅外波段,由于石墨烯的無(wú)帶隙結(jié)構(gòu)使其載流子具有非常高的流動(dòng)性。然而也正是由于其零帶隙結(jié)構(gòu)和弱的光吸收能力限制了其應(yīng)用。因此,提高其光吸收能力就顯得非常的重要了。如果能將石墨烯優(yōu)點(diǎn)保留而克服掉其缺點(diǎn),則能使其在光電領(lǐng)域發(fā)揮更強(qiáng)的作用。本文嘗試制作了同用硅基的鍺錫PIN型光電探測(cè)器和石墨烯/鉍納米柱異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器,研究了表面形貌特征、光譜吸收特性和光電特性。對(duì)于GeSn薄膜的優(yōu)化生長(zhǎng)、PIN結(jié)的縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制作,本文做了詳細(xì)的研究:研究了分子束外延溫度條件對(duì)Sn組分的影響,通...

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 GeSn光電探測(cè)器概述和其他光電材料
        1.2.1 GeSn光電探測(cè)器概述
        1.2.2 硅基石墨烯光電材料概述
    1.3 文章結(jié)構(gòu)和主要工作點(diǎn)
        1.3.1 文章結(jié)構(gòu)
        1.3.2 主要工作及創(chuàng)新
第二章 半導(dǎo)體光電探測(cè)器理論基礎(chǔ)
    2.1 硅基GeSn薄膜PIN光電探測(cè)器的理論基礎(chǔ)
        2.1.1 GeSn合金材料的基本性質(zhì)
        2.1.2 PIN結(jié)光電探測(cè)器原理
        2.1.3 石墨烯的物理性質(zhì)和能帶打開(kāi)原理
        2.1.4 Bi量子點(diǎn)陣
    2.2 常見(jiàn)薄膜生長(zhǎng)方式和加工工藝
        2.2.1 分子束外延生長(zhǎng)原理
        2.2.2 磁控濺射鍍?cè)?br>        2.2.3 高溫退火原理和高溫?zé)釘U(kuò)散原理
        2.2.4 半導(dǎo)體光刻技術(shù)
    2.3 實(shí)驗(yàn)表征方法
        2.3.1 X射線(xiàn)衍射(X-raydiffraction)
        2.3.2 原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscope)
        2.3.3 拉曼光譜(RamanSpectra)
        2.3.4 掃描電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope)
        2.3.5 X射線(xiàn)光電子能譜(X-rayphotoelectronspectroscopy)
        2.3.6 紅外光譜(InfraredSpectroscope)
        2.3.7 I-V曲線(xiàn)測(cè)試及On-off開(kāi)關(guān)光電流測(cè)試
    2.4 本章小結(jié)
第三章 鍺錫薄膜外延生長(zhǎng)及其性質(zhì)研究
    3.1 GeSn薄膜的生長(zhǎng)工藝
    3.2 GeSn薄膜的微觀(guān)結(jié)構(gòu)及應(yīng)力研究
        3.2.1 GeSn薄膜的AFM形貌表征
        3.2.2 GeSn薄膜的SEM形貌表征
        3.2.3 GeSn薄膜的XRD圖譜分析
        3.2.4 GeSn薄膜的拉曼圖譜分析
    3.3 GeSn薄膜的光學(xué)性能分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 硅基集成光電探測(cè)器設(shè)計(jì)及性能研究
    4.1 硅基鍺錫PIN型光電探測(cè)器設(shè)計(jì)與制備
        4.1.1 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
        4.1.2 硅基片的清洗過(guò)程
        4.1.3 光刻工藝流程
    4.2 硅基鍺錫PIN型光電探測(cè)器性能研究
        4.2.1 硅基鍺錫PIN型光電探測(cè)器電學(xué)特性
        4.2.2 硅基鍺錫PIN型光電探測(cè)器光電特性
    4.3 硅基石墨烯/鉍納米柱光電探測(cè)器設(shè)計(jì)與制備
        4.3.1 器件設(shè)計(jì)
        4.3.2 Bi納米柱的制備
        4.3.3 石墨烯的轉(zhuǎn)移和電極的制作
    4.4 硅基石墨烯和鉍納米柱光電探測(cè)器性能研究
        4.4.1 鉍納米柱的表面微觀(guān)形貌
        4.4.2 石墨烯和鉍納米柱異質(zhì)結(jié)的應(yīng)力研究
        4.4.3 石墨烯和鉍納米柱異質(zhì)結(jié)的光學(xué)性能
        4.4.4 石墨烯和鉍納米柱異質(zhì)結(jié)的電學(xué)性能
        4.4.5 石墨烯/鉍納米柱異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的光電特性
    4.5 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 不足和后續(xù)展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的研究成果



本文編號(hào)：3871841