準(zhǔn)二維范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe₃同時(shí)具有本征磁性與半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu),在光電子學(xué)和納米自旋電子學(xué)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,近年來(lái)吸引了廣大科研工作者的興趣.利用超快太赫茲光譜技術(shù),本文對(duì)準(zhǔn)二維范德瓦耳斯鐵磁半導(dǎo)體CrSiTe₃進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,包括太赫茲時(shí)域光譜,光抽運(yùn)-太赫茲探測(cè)光譜及太赫茲發(fā)射光譜.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,樣品的太赫茲電導(dǎo)率隨溫度的變化表現(xiàn)得十分穩(wěn)定,且樣品ab面對(duì)太赫茲波的響應(yīng)呈現(xiàn)為各向同性; 800nm光抽運(yùn)后的光生載流子表現(xiàn)為一種雙指數(shù)形式的弛豫變化,復(fù)光電導(dǎo)率可以用Drude-Smith模型很好地?cái)M合,光載流子的弛豫過(guò)程由電子-空穴對(duì)的復(fù)合所主導(dǎo);飛秒脈沖入射到樣品表面后可以產(chǎn)生太赫茲輻射,且具有0—2THz的帶寬.本文給出了CrSiTe₃在光學(xué)及太赫茲波段的光譜,為其在電子及光電子器件方面的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供了借鑒與參考.

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本文編號(hào)：3865010