發(fā)布時間：2023-10-29 19:57

　　采用脈沖激光沉積(PLD)技術在GaN(002)上沉積非晶AlBN介質(zhì)薄膜。利用X射線衍射技術(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線光電子能譜(XPS)等技術分別對介質(zhì)薄膜的晶體結構、成分進行表征,并采用導電原子力顯微鏡(CAFM)以及I-V等測試手段對不同厚度薄膜的電學性質(zhì)進行測試。結果表明:不同厚度的AlBN介質(zhì)薄膜均為非晶,薄膜中B含量約為6.7%(原子分數(shù))。厚度為3 nm和18 nm的AlBN介質(zhì)薄膜的表面粗糙度(R_q)分別為0.209 nm和0.116 nm,薄膜表面平整均勻,18 nm薄膜施加±10 V電壓時,沒有出現(xiàn)明顯的漏電流。但在金屬-介質(zhì)-金屬(MIM)結構中,18 nm薄膜結構中出現(xiàn)較大漏電流,漏電流密度在-2 V時約為-2×10^-4 A/cm²。

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【文章目錄】：
1 實驗材料與方法
2 結果與分析
    2.1 結構與成分表征
    2.2 電學性能表征
3 結論



本文編號：3858765