目前,商業(yè)白光LED主要由YAG:Ce黃色熒光粉混合環(huán)氧樹脂耦合460 nm藍(lán)光LED芯片封裝而成。然而由于Ce³⁺離子的發(fā)射光譜不具連續(xù)光譜特性,缺少紅光成分,導(dǎo)致顯色指數(shù)較低,相關(guān)色溫較高,不能實(shí)現(xiàn)暖白光發(fā)射。而且,封裝所用的環(huán)氧樹脂或硅膠是低導(dǎo)熱材料,化學(xué)穩(wěn)定性較差,并不適用于大功率白光LED。此外,這種將分散在環(huán)氧樹脂的熒光粉涂覆在藍(lán)光LED芯片的方法存在國(guó)外專利壁壘。因此,本論文提出采用全固態(tài)透明熒光材料,包括熒光薄膜、微晶玻璃、單晶,取代傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂封裝,不但能夠有效補(bǔ)充紅光,而且熱穩(wěn)定性、物化穩(wěn)定性、發(fā)光穩(wěn)定性都得到了有效提升。主要研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下:1、采用旋涂法分別制備了CuInS₂/ZnS/水性環(huán)氧樹脂和CdSe/ZnS/水性環(huán)氧樹脂紅光量子點(diǎn)薄膜,與GaAG:Ce熒光粉薄膜、460 nm藍(lán)光LED芯片耦合,CuInS₂紅光量子點(diǎn)薄膜所封裝白光LED器件發(fā)光效率為44.52 lm/W,相關(guān)色溫為5119 K,顯色指數(shù)為95;CdSe紅光量子點(diǎn)薄膜所封裝白光LED器件發(fā)光效率為36.73lm/W,相關(guān)色...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 白光LED概述
        1.2.1 LED的發(fā)光原理及其結(jié)構(gòu)
        1.2.2 LED的光學(xué)特性參數(shù)
        1.2.3 白光LED的實(shí)現(xiàn)方式
        1.2.4 白光LED目前存在的問(wèn)題
    1.3 白光LED用紅色熒光材料
        1.3.1 紅色熒光粉
        1.3.2 紅光量子點(diǎn)
        1.3.3 紅色熒光薄膜
        1.3.4 紅光微晶玻璃
        1.3.5 紅光陶瓷
        1.3.6 紅光單晶
        1.3.7 小結(jié)
    1.4 本論文研究國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀
        1.4.1 CuInS₂和CdSe紅光量子點(diǎn)薄膜
        1.4.2 CdSe_xS_1-x紅光量子點(diǎn)微晶玻璃
        1.4.3 YAG:Cr³⁺紅光單晶
    1.5 本論文研究的意義和主要內(nèi)容
        1.5.1 研究?jī)?nèi)容
        1.5.2 研究意義
第二章 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及測(cè)試表征
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)試劑及所需材料
        2.2.3 實(shí)驗(yàn)方法
    2.3 測(cè)試表征
        2.3.1 X射線衍射分析(XRD)
        2.3.2 透射電子顯微鏡分析(TEM)
        2.3.3 X射線能譜分析(EDS)
        2.3.4 X射線光電子能譜分析(XPS)
        2.3.5 紫外可見光譜分析(UV-Vis)
        2.3.6 熒光光譜分析(PLE和 PL)
        2.3.7 變溫光譜分析
        2.3.8 光致發(fā)光量子效率測(cè)試(PL QY)
        2.3.9 電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析(ICP)
        2.3.10 LED光電性能測(cè)試
第三章 CuInS₂和CdSe量子點(diǎn)薄膜的制備及其光電性能
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器與試劑
        3.2.2 薄膜樣品制備
        3.2.3 薄膜樣品表征
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 CuInS₂和CdSe量子點(diǎn)薄膜TEM分析
        3.3.2 CuInS₂和CdSe量子點(diǎn)薄膜的光學(xué)性質(zhì)
        3.3.3 CuInS₂和CdSe量子點(diǎn)薄膜在白光LED的應(yīng)用
    3.4 本章小結(jié)
第四章 CdSe_xS_1-x量子點(diǎn)微晶玻璃的制備及光電性能研究
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器與試劑
        4.2.2 玻璃樣品制備
        4.2.3 玻璃樣品表征
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 CdSe_xS_1-x量子點(diǎn)微晶玻璃形成機(jī)理
        4.3.2 CdSe_xS_1-x量子點(diǎn)微晶玻璃XRD與 TEM分析
        4.3.3 CdSe_xS_1-x量子點(diǎn)微晶玻璃光學(xué)性質(zhì)研究
        4.3.4 CdSe_xS_1-x量子點(diǎn)微晶玻璃在白光LED的應(yīng)用
    4.4 本章小結(jié)
第五章 YAG:Cr³⁺單晶的制備及光電性能研究
    5.1 引言
    5.2 實(shí)驗(yàn)部分
        5.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器與試劑
        5.2.2 單晶樣品制備
        5.2.3 單晶樣品表征
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 YAG:Cr³⁺單晶微結(jié)構(gòu)表征與XPS分析
        5.3.2 YAG:Cr³⁺單晶ICP測(cè)試
        5.3.3 YAG:Cr³⁺單晶光學(xué)性質(zhì)研究
        5.3.4 YAG:Cr³⁺單晶熱穩(wěn)定性研究
        5.3.5 YAG:Cr³⁺單晶在大功率白光LED的應(yīng)用
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 未來(lái)的工作方向
參考文獻(xiàn)
致謝
碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
授權(quán)專利
參與科研項(xiàng)目



本文編號(hào)：3852112