為了進(jìn)一步改善Si/SiC異質(zhì)結(jié)光電二極管的性能,采用類似摻雜超晶格的結(jié)構(gòu),將Si層由多個具有量子尺寸的p型薄層和n型薄層周期性地疊合而成,在Si層中形成一系列不同層的電子勢阱和空穴勢阱,以延遲光生載流子的復(fù)合,延長光生載流子的復(fù)合壽命,達(dá)到提高光電流密度的目的。使用Silvaco軟件模擬了這種Si/SiC異質(zhì)結(jié)的特性,研究了不同的Si層結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件光電特性的影響,并對Si層的厚度及摻雜濃度進(jìn)行了優(yōu)化。研究表明,在0.6 W/cm2的鹵鎢燈輻照條件下,從SiC側(cè)入射,p-Si和n-Si層的摻雜濃度均為1018 cm-3,厚度均為10 nm,器件的光電流密度可達(dá)129.6 mA/cm2,與常規(guī)結(jié)構(gòu)相比,其最大光電流密度提高了21%,表明將Si/SiC異質(zhì)結(jié)的Si層做成調(diào)制摻雜結(jié)構(gòu)對器件光電性能有顯著的改善作用。

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【文章目錄】：
0 引言
1器件模擬
2 結(jié)論



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