發(fā)布時(shí)間：2023-08-29 19:52

　　近年來,金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(TFTs)在大尺寸、高分辨率、高幀率、全透明柔性平板顯示器中被廣泛使用。如今常見的有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)主要采用非晶硅薄膜晶體管。而非晶硅TFTs的遷移率低,已無法滿足有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示(AMOLED)。金屬氧化物半導(dǎo)體TFTs具有遠(yuǎn)高于非晶硅TFTs的遷移率,制備溫度低,可見光波段透明度高等特點(diǎn),有望在未來實(shí)現(xiàn)全透明的柔性可穿戴顯示技術(shù)。InGaZnO作為最受關(guān)注的氧化物半導(dǎo)體目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。但是由于In元素的儲(chǔ)量十分有限,且InGaZnO TFTs的專利被日韓壟斷,開發(fā)新的金屬氧化物半導(dǎo)體材料對(duì)于中國(guó)學(xué)者具有十分重要的意義�；谝陨系目紤],本文主要圍繞ZnSnO基氧化物半導(dǎo)體展開。一方面,利用脈沖激光沉積法制備ZnSnO TFTs器件,研究了氧空位濃度對(duì)器件電學(xué)性能的影響,并在此基礎(chǔ)上,提出新型隧道接觸TFTs器件結(jié)構(gòu),研究隧穿層對(duì)TFTs器件電學(xué)性能的影響;另一方面,以Ge摻雜ZnSnO薄膜作為功能層,制備電容型記憶存儲(chǔ)器,初步探索ZnSnO基材料的阻變特性。全文主要內(nèi)容如下:1.利用脈沖激光沉積技術(shù),在不同氧壓下...

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 引言
第二章 緒論
    2.1 非晶氧化物概述
        2.1.1 發(fā)展歷程
        2.1.2 非晶氧化物的基本性質(zhì)
        2.1.3 氧化物薄膜沉積技術(shù)
    2.2 氧化物薄膜晶體管概述
        2.2.1 發(fā)展歷程
        2.2.2 薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理
        2.2.3 氧化物薄膜晶體管電學(xué)性能參數(shù)
        2.2.4 氧化物薄膜晶體管的優(yōu)點(diǎn)
    2.3 氧化物薄膜晶體管的實(shí)際應(yīng)用
        2.3.1 氧化物TFTs在AMLCD和AMOLED中的應(yīng)用
        2.3.2 氧化物TFTs在CMOS中的應(yīng)用
    2.4 選題依據(jù)和研究?jī)?nèi)容
第三章 實(shí)驗(yàn)方法與表征手段
    3.1 脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)
        3.1.1 濺射原理
        3.1.2 PLD實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹
        3.1.3 實(shí)驗(yàn)過程
    3.2 原子層沉積(ALD)技術(shù)
        3.2.1 沉積原理
        3.2.2 ALD實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹
        3.2.3 實(shí)驗(yàn)過程
    3.3 表征手段
第四章 ZnSnO TFTs器件的制備和性能研究
    4.1 引言
    4.2 ZnSnO薄膜的生長(zhǎng)
    4.3 ZnSnO薄膜的表征
        4.3.1 表面形貌分析
        4.3.2 化學(xué)狀態(tài)分析
        4.3.3 光學(xué)性能分析
    4.4 ZnSnO TFTs器件的性能表征
    4.5 小結(jié)
第五章 隧道接觸ZnSnO TFTs器件的制備和性能研究
    5.1 引言
    5.2 隧道接觸ZnSnO TFTs器件的制備
    5.3 Al₂O₃薄膜的表征
        5.3.1 表面形貌分析
        5.3.2 化學(xué)成分分析
    5.4 隧道接觸ZnSnO TFTs器件性能的測(cè)試
    5.5 隧道接觸薄膜晶體管機(jī)理
    5.6 本章小結(jié)
第六章 ZnGeSnO記憶存儲(chǔ)器的制備和性能的研究
    6.1 引言
    6.2 ZnGeSnO記憶存儲(chǔ)器的制備
    6.3 ZnGeSnO薄膜的表征及憶阻器性能測(cè)試
    6.4 本章小結(jié)
第七章 結(jié)論與展望
    7.1 全文總結(jié)
    7.2 研究意義與創(chuàng)新
    7.3 研究展望
參考文獻(xiàn)
致謝
個(gè)人簡(jiǎn)歷
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其他研究成果



本文編號(hào)：3844176