近紅外發(fā)光二極管在醫(yī)療,軍事和通信等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,而膠體量子點(diǎn)作為近紅外的發(fā)光材料具有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),比如在溶液中的熒光量子產(chǎn)率高、粒徑可調(diào)節(jié)的吸收和發(fā)射光譜、可在任意基板成膜并適用于噴墨打印等批量生產(chǎn)技術(shù)等等。本文的研究對(duì)象是基于Pb Se/Pb S核殼量子點(diǎn)的近紅外發(fā)光二極管,研究?jī)?nèi)容聚焦在發(fā)光二極管的量子點(diǎn)發(fā)光層,研究?jī)?nèi)容包括Pb Se/Pb S核殼量子點(diǎn)的合成,量子點(diǎn)薄膜的載流子傳輸效率的優(yōu)化以及量子點(diǎn)表面缺陷的鈍化等三個(gè)方面。具體內(nèi)容和相關(guān)結(jié)果如下:Pb Se量子點(diǎn)在空氣中容易受水氧的侵蝕而造成其穩(wěn)定性差,通過(guò)在Pb Se量子點(diǎn)的表面包覆厚度大于1nm的Pb S殼層作為其發(fā)光中心的保護(hù)層,試圖延緩Pb Se量子點(diǎn)的氧化過(guò)程。在Pb Se量子點(diǎn)的殼層生長(zhǎng)中,利用雙泵來(lái)分別調(diào)節(jié)Pb和S兩種前驅(qū)體的注入比例,并控制殼層生長(zhǎng)的反應(yīng)時(shí)間和溫度等條件獲得目標(biāo)殼層厚度。其中,通過(guò)提高殼層前驅(qū)體溶液的Pb:S摩爾比和Pb Se濃度來(lái)避免Pb S成核而引起發(fā)射光譜的雙峰現(xiàn)象。為檢驗(yàn)Pb S殼層對(duì)Pb Se量子點(diǎn)的穩(wěn)定性提高的有效性,將甲苯溶液中的Pb Se量子點(diǎn)和Pb Se/Pb S核殼量...

【文章頁(yè)數(shù)】：68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 課題背景及研究的目的和意義
    1.2 膠體量子點(diǎn)
        1.2.1 量子點(diǎn)的概念
        1.2.2 量子點(diǎn)的物理效應(yīng)
        1.2.3 量子點(diǎn)的合成方法
        1.2.4 膠體量子點(diǎn)的獨(dú)特性能
        1.2.5 紅外膠體量子點(diǎn)的研究現(xiàn)狀
        1.2.6 量子點(diǎn)的核殼結(jié)構(gòu)
    1.3 量子點(diǎn)發(fā)光二極管
        1.3.1 量子點(diǎn)發(fā)光二極管的器件結(jié)構(gòu)類(lèi)型
        1.3.2 量子點(diǎn)發(fā)光二極管的工作原理
        1.3.3 紅外QLED的研究現(xiàn)狀
    1.4 本文的主要研究?jī)?nèi)容
第2章 PbSe/PbS核殼量子點(diǎn)的合成與表征分析
    2.1 引言
    2.2 PbSe量子點(diǎn)的穩(wěn)定性問(wèn)題
        2.2.1 量子點(diǎn)的殼層生長(zhǎng)方法
        2.2.2 PbSe量子點(diǎn)的核殼結(jié)構(gòu)類(lèi)型
        2.2.3 量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)制
    2.3 實(shí)驗(yàn)部分
        2.3.1 合成原料與實(shí)驗(yàn)儀器
        2.3.2 PbSe量子點(diǎn)的合成步驟
        2.3.3 PbSe量子點(diǎn)的PbS殼層生長(zhǎng)
        2.3.4 材料的表征設(shè)備
    2.4 材料的表征結(jié)果分析
    2.5 本章小結(jié)
第3章 改善量子點(diǎn)薄膜的載流子傳輸
    3.1 引言
    3.2 量子點(diǎn)薄膜的有效載流子傳輸問(wèn)題
        3.2.1 短碳鏈配體交換
        3.2.2 摻雜基質(zhì)的調(diào)控
    3.3 實(shí)驗(yàn)部分
        3.3.1 實(shí)驗(yàn)材料與設(shè)備
        3.3.2 PbSe/PbS紅外QLED制備
        3.3.3 器件光電特性測(cè)試系統(tǒng)
    3.4 器件的表征結(jié)果分析
    3.5 本章小結(jié)
第4章 量子點(diǎn)的缺陷鈍化
    4.1 引言
    4.2 量子點(diǎn)的缺陷鈍化方法
        4.2.1 鹵素原子配體交換
        4.2.2 混合配體鈍化
    4.3 實(shí)驗(yàn)部分
        4.3.1 實(shí)驗(yàn)材料與設(shè)備
        4.3.2 PbSe/PbS紅外QLED制備
        4.3.3 器件的表征結(jié)果分析
    4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及其它成果
致謝



本文編號(hào)：3833956