基于180 nm絕緣體上硅(SOI)CMOS工藝,設計并制作了一款50Ω吸收式單刀雙擲射頻開關。開關電路由兩個對稱的射頻傳輸通道組成,在500 kHz～8 GHz頻率內(nèi)具備優(yōu)異的隔離度及插入損耗性能。采用兩級開關結構用于提高隔離度,并通過將電源管理電路的晶體管偏置在亞閾值區(qū)域以達到超低的功耗。測試結果表明,在6 GHz頻點的插入損耗為0.55 dB,隔離度為53 dB,反射系數(shù)為-15 dB,0.1 dB壓縮點的輸入功率為33 dBm,而功耗不足300μW。該RF開關電路非常適用于4G/5G無線基礎設施、衛(wèi)星通信終端設備以及其他高性能射頻應用系統(tǒng)。

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【文章目錄】：
0 引言
1 電路設計
    1.1 整體電路
    1.2 帶隙基準及線性穩(wěn)壓器電路
    1.3 環(huán)形振蕩器電路
    1.4 非交疊時鐘信號產(chǎn)生電路
    1.5 負壓電荷泵電路
    1.6 電平轉(zhuǎn)換器電路
    1.7 射頻開關電路
2 測試結果
3 結論



本文編號：3830354