研究了交指型MEMS濾波器硅通孔在裝配使用中的接地失效。針對(duì)濾波器硅通孔接地失效的兩種主要失效模式,分析了失效原因,建立了導(dǎo)電膠填充硅通孔裝配過(guò)程的有限元分析模型并進(jìn)行了仿真,發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電膠填充高度接近硅通孔上邊沿時(shí),通孔受到的熱應(yīng)力最大,熱應(yīng)變最嚴(yán)重。通過(guò)裝配后產(chǎn)品的溫度應(yīng)力試驗(yàn),驗(yàn)證了仿真結(jié)果。給出了加強(qiáng)硅通孔金屬化前清洗工藝的質(zhì)量控制要求,提出了MEMS濾波器裝配過(guò)程中導(dǎo)電膠填孔高度不得超過(guò)1/2的裝配建議。

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【文章目錄】：
引言
1 交指型MEMS濾波器的結(jié)構(gòu)
2 MEMS濾波器TSV接地失效現(xiàn)象
3 MEMS濾波器TSV接地失效分析
    3.1 導(dǎo)電膠裝配熱應(yīng)力分析
    3.2 導(dǎo)電膠裝配驗(yàn)證試驗(yàn)
4 硅通孔接地失效預(yù)防措施
5 結(jié)論



本文編號(hào)：3826428