隨著科技的發(fā)展,超大規(guī)模集成電路技術(shù)的應(yīng)用使得一大批新型結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)運(yùn)而生,導(dǎo)致高壓大電流半導(dǎo)體發(fā)生了質(zhì)的變化。VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件即垂直導(dǎo)電金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。VDMOS功率器件是一種通過(guò)電壓調(diào)控型的多數(shù)載流子器件,它的出現(xiàn)將微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩個(gè)領(lǐng)域技術(shù)很好的結(jié)合起來(lái),成為在金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路(IC)工藝基礎(chǔ)上興起的大功率集成電路器件。VDMOS功率器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用在逆變器、電子開(kāi)關(guān)、電子鎮(zhèn)流器、電機(jī)調(diào)速、高保真音響、汽車電器以及開(kāi)關(guān)電源等諸多領(lǐng)域。本文擬從反應(yīng)氣體流量、射頻電源的功率、產(chǎn)品表面溫度和產(chǎn)品與噴頭之間的距離四個(gè)方面單因素探索每個(gè)工藝條件對(duì)產(chǎn)品鈍化膜層質(zhì)量所產(chǎn)生的影響,從中得出每個(gè)因素單方面最適宜生產(chǎn)產(chǎn)品的工藝參數(shù)。然后再通過(guò)正交實(shí)驗(yàn),設(shè)計(jì)4因素5水平試樣,將各個(gè)工藝參數(shù)的影響綜合進(jìn)行比較,從中得出最適合生產(chǎn)的工藝參數(shù)。經(jīng)過(guò)試驗(yàn),最后得出結(jié)論:1.反應(yīng)氣體流量的比例變化對(duì)于功率器件鈍化膜層厚度及厚度偏差值的影響不明顯,但是對(duì)折射率和內(nèi)應(yīng)力...

【文章頁(yè)數(shù)】：81 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
符號(hào)對(duì)照表
縮略語(yǔ)對(duì)照表
第一章 緒論
    1.1 高壓VDMOS的應(yīng)用需求
        1.1.1 VDMOS功率器件的主要特性
        1.1.2 VDMOS技術(shù)特點(diǎn)
    1.2 鈍化層質(zhì)量對(duì)VDMOS的影響
    1.3 論文的研究目標(biāo)與章節(jié)安排
第二章 高壓VDMOS鈍化層材料制備及檢測(cè)
    2.1 高壓VDMOS鈍化層材料及其優(yōu)缺點(diǎn)
        2.1.1 二氧化硅
        2.1.2 磷硅玻璃
        2.1.3 氮化硅
        2.1.4 氮氧化硅
        2.1.5 聚酰亞胺
    2.2 氮化硅鈍化層的制備方法
        2.2.1 硅的氮化法
        2.2.2 高溫CVD法
        2.2.3 常壓CVD法
        2.2.4 低壓CVD法
        2.2.5 光化學(xué)CVD法
        2.2.6 等離子體增強(qiáng)CVD法
    2.3 AMATP5000薄膜淀積設(shè)備
        2.3.1 AMATP5000設(shè)備結(jié)構(gòu)
        2.3.2 AMATP5000設(shè)備工作原理
    2.4 測(cè)試儀器
        2.4.1 UV1050橢偏儀
        2.4.2 光學(xué)顯微鏡及Hitachi掃描電鏡
        2.4.3 內(nèi)應(yīng)力測(cè)試儀
第三章 高壓VDMOS鈍化層生產(chǎn)工藝對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響
    3.1 反應(yīng)氣體流量對(duì)鈍化層質(zhì)量的影響
        3.1.1 不同反應(yīng)氣體流量對(duì)鈍化層膜厚的影響
        3.1.2 不同氣體流量比例對(duì)鈍化膜層折射率的影響
        3.1.3 反應(yīng)氣體流量對(duì)鈍化層表面應(yīng)力的影響
        3.1.4 小結(jié)
    3.2 射頻功率對(duì)鈍化膜質(zhì)量的影響
        3.2.1 射頻功率對(duì)鈍化膜層厚度的影響
        3.2.2 射頻功率對(duì)鈍化膜層折射率的影響
        3.2.3 射頻功率對(duì)鈍化膜層內(nèi)應(yīng)力的影響
        3.2.4 小結(jié)
    3.3 硅片溫度對(duì)鈍化膜層質(zhì)量的影響
        3.3.1 硅片表面溫度對(duì)鈍化膜層厚度的影響
        3.3.2 硅片表面溫度對(duì)鈍化膜折射率的影響
        3.3.3 硅片表面溫度對(duì)鈍化膜內(nèi)應(yīng)力的影響
        3.3.4 小結(jié)
    3.4 硅片淀積間距對(duì)鈍化膜層質(zhì)量的影響
        3.4.1 不同硅片淀積間距對(duì)鈍化層膜厚的影響
        3.4.2 硅片淀積間距對(duì)鈍化膜層折射率的影響
        3.4.3 硅片淀積間距對(duì)鈍化層內(nèi)應(yīng)力的影響
    3.5 本章小結(jié)
第四章 高壓VDMOS鈍化層生產(chǎn)工藝的優(yōu)化
    4.1 高壓VDMOS功率器件鈍化層工藝參數(shù)正交實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)
    4.2 正交實(shí)驗(yàn)評(píng)分系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
    4.3 高壓VDMOS功率器件鈍化層正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
    4.4 高壓VDMOS功率器件鈍化層宏觀及微觀形貌分析
    4.5 本章小結(jié)
第五章 鈍化層質(zhì)量對(duì)高壓VDMOS功率器件可靠性影響
    5.1 高壓VDMOS功率器件可靠性驗(yàn)證
    5.2 高壓VDMOS功率器件可靠性測(cè)試方法
    5.3 測(cè)試結(jié)果分析
        5.3.1 高溫反偏測(cè)試(HTRB)測(cè)試結(jié)果分析
        5.3.2 高溫柵偏測(cè)試(HTGB)測(cè)試結(jié)果分析
    5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)介



本文編號(hào)：3825202