氮化鎵材料有著高電子遷移率與高熱導率而成為第三代半導體材料的代表,隨著外延技術(shù)的進步,材料生長與工藝水平發(fā)展,氮化鎵材料受到各界的關(guān)注越來越多,應用于功率放大器方向的氮化鎵材料同樣受到更多的研究。電路設(shè)計首先要利用計算機輔助軟件進行仿真設(shè)計,精準的模型與參數(shù)提取是電路設(shè)計的前提與重點,只有精確的模型才能增大電路設(shè)計的可靠性并縮短研究時間,因而模型的簡單化與精確化是目前研究的熱點。本論文在第一部分是氮化鎵高電子遷移率晶體管在功率放大器應用上的理論介紹。首先簡單的介紹了氮化鎵高電子遷移率晶體管工作原理以及特性,之后詳細分析了幾類功率放大器的差別與優(yōu)劣,并介紹我們設(shè)計功率放大器時需要注意的輸出功率、效率等指標,分析在設(shè)計電路時我們用到的穩(wěn)定電路與偏置電路,匹配電路用到的幾種匹配方式以及微帶線理論。第二部分是氮化鎵高電子遷移率晶體管的建模工作介紹。小信號模型參數(shù)的提取離不開精準的S參數(shù)測試,因而首先介紹了建模需要用到的導納參數(shù)矩陣、阻抗參數(shù)矩陣與S參數(shù)矩陣。其次,針對經(jīng)典小信號模型提出一種更適用于氮化鎵基器件的19元件小信號等效電路,詳細研究其等效電路與參數(shù)提取流程。其中提取寄生參方法是根據(jù)測...

【文章頁數(shù)】：94 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
插符號對照表
縮略語對照表
第一章 緒論
    1.1 半導體技術(shù)的發(fā)展
    1.2 AlGaN/GaN HEMT器件研究現(xiàn)狀
    1.3 本文主要內(nèi)容介紹
第二章 AlGaN/GaN HEMT基本原理
    2.1 GaN材料特性
    2.2 匹配理論
    2.3 偏置與穩(wěn)定設(shè)計
第三章 GaN HEMT器件模型研究
    3.1 二端口網(wǎng)絡介紹
    3.2 GaN HEMT器件經(jīng)典小信號建模
        3.2.1 GaN HEMT器件小信號建模流程
        3.2.2 GaN HEMT器件小信號等效電路
        3.2.3 GaN HEMT器件小信號參數(shù)提取
        3.2.4 GaN HEMT器件小信號參數(shù)優(yōu)化
    3.3 針對GaN HEMT器件改進的小信號模型
        3.3.1 改進模型寄生參數(shù)提取
        3.3.2 改進模型本征參數(shù)提取
    3.4 GaN HEMT大信號模型簡介
        3.4.1 GaN HEMT大信號模型的分類及其對比
        3.4.2 幾種常見的大信號直流經(jīng)驗模型
        3.4.3 EE_HEMT模型
第四章 功放電路設(shè)計
    4.1 功率放大器的類型
    4.2 功率放大器的主要指標
    4.3 功率分配設(shè)計
        4.3.1 主要技術(shù)指標
        4.3.2 威爾金森(Wilkinson)功分器
    4.4 小信號電路設(shè)計
    4.5 大信號電路設(shè)計
第五章 總結(jié)
參考文獻
致謝
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本文編號：3818885