氮化鎵材料有著高電子遷移率與高熱導率而成為第三代半導體材料的代表,隨著外延技術的進步,材料生長與工藝水平發(fā)展,氮化鎵材料受到各界的關注越來越多,應用于功率放大器方向的氮化鎵材料同樣受到更多的研究。電路設計首先要利用計算機輔助軟件進行仿真設計,精準的模型與參數提取是電路設計的前提與重點,只有精確的模型才能增大電路設計的可靠性并縮短研究時間,因而模型的簡單化與精確化是目前研究的熱點。本論文在第一部分是氮化鎵高電子遷移率晶體管在功率放大器應用上的理論介紹。首先簡單的介紹了氮化鎵高電子遷移率晶體管工作原理以及特性,之后詳細分析了幾類功率放大器的差別與優(yōu)劣,并介紹我們設計功率放大器時需要注意的輸出功率、效率等指標,分析在設計電路時我們用到的穩(wěn)定電路與偏置電路,匹配電路用到的幾種匹配方式以及微帶線理論。第二部分是氮化鎵高電子遷移率晶體管的建模工作介紹。小信號模型參數的提取離不開精準的S參數測試,因而首先介紹了建模需要用到的導納參數矩陣、阻抗參數矩陣與S參數矩陣。其次,針對經典小信號模型提出一種更適用于氮化鎵基器件的19元件小信號等效電路,詳細研究其等效電路與參數提取流程。其中提取寄生參方法是根據測...

【文章頁數】：94 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
插符號對照表
縮略語對照表
第一章 緒論
    1.1 半導體技術的發(fā)展
    1.2 AlGaN/GaN HEMT器件研究現狀
    1.3 本文主要內容介紹
第二章 AlGaN/GaN HEMT基本原理
    2.1 GaN材料特性
    2.2 匹配理論
    2.3 偏置與穩(wěn)定設計
第三章 GaN HEMT器件模型研究
    3.1 二端口網絡介紹
    3.2 GaN HEMT器件經典小信號建模
        3.2.1 GaN HEMT器件小信號建模流程
        3.2.2 GaN HEMT器件小信號等效電路
        3.2.3 GaN HEMT器件小信號參數提取
        3.2.4 GaN HEMT器件小信號參數優(yōu)化
    3.3 針對GaN HEMT器件改進的小信號模型
        3.3.1 改進模型寄生參數提取
        3.3.2 改進模型本征參數提取
    3.4 GaN HEMT大信號模型簡介
        3.4.1 GaN HEMT大信號模型的分類及其對比
        3.4.2 幾種常見的大信號直流經驗模型
        3.4.3 EE_HEMT模型
第四章 功放電路設計
    4.1 功率放大器的類型
    4.2 功率放大器的主要指標
    4.3 功率分配設計
        4.3.1 主要技術指標
        4.3.2 威爾金森(Wilkinson)功分器
    4.4 小信號電路設計
    4.5 大信號電路設計
第五章 總結
參考文獻
致謝
作者簡介



本文編號：3818885