全無機(jī)銫鉛鹵化物鈣鈦礦CsPbX3(X=Cl,Br,I)納米晶,因其具有極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率,覆蓋全可見光范圍的輻射波長和較窄的輻射峰寬,成為下一代發(fā)光二極管材料的有力候選者。然而,對于水分,氧和紫外光照的不穩(wěn)定性,導(dǎo)致CsPbX3難以運(yùn)用于實(shí)際的工作器件。針對CsPbX3納米晶穩(wěn)定性的缺陷,本論文設(shè)計(jì)了一種在多孔二氧化硅微球的孔隙中直接生長CsPbX3納米晶的方法。通過溶膠凝膠法合成二氧化硅微球,在PVP的保護(hù)下利用NaOH進(jìn)行化學(xué)刻蝕從而獲得介孔級的孔道,并將制備的二氧化硅微球注入CsPbX3的反應(yīng)體系中,從而實(shí)現(xiàn)了 CsPbX3量子點(diǎn)在介孔二氧化硅微球中的原位生長。二氧化硅微球的包覆顯著增強(qiáng)了 CsPbX3納米晶的紫外光穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。針對CsPbX3表面缺陷耐受性和熒光強(qiáng)度的問題,本論文設(shè)計(jì)了一種利用Ag離子的表面鈍化作用從而提高CsPbX3納米晶熒光強(qiáng)度和穩(wěn)定性的方法。通過向制得的CsPbX3納米晶分散體中注入Ag-TOP溶液,Ag離子使CsPbX3納米晶表面趨于穩(wěn)定。鈍化處理顯著提升了 CsPbBr3納米晶的熒光強(qiáng)度,同時(shí)減緩了熒光強(qiáng)度隨時(shí)間的衰減,對于CsPbBr3納...

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 介紹
    1.2 合成與結(jié)構(gòu)特征
        1.2.1 晶體結(jié)構(gòu)特征
        1.2.2 IHP納米結(jié)構(gòu)的合成與尺寸控制
    1.3 光學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性
        1.3.1 IHP NCs的基本光學(xué)性質(zhì)
        1.3.2 單顆粒IHP NCs光學(xué)性質(zhì)
        1.3.3 IHP NCs的離子交換特性
    1.4 發(fā)光二極管應(yīng)用
    1.5 選題意義及主要內(nèi)容
第二章 SiO₂/CsPbX₃復(fù)合型發(fā)光量子點(diǎn)的制備及穩(wěn)定性研究
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)方案
        2.2.3 表征方法
        2.2.4 結(jié)果與討論
    2.3 本章總結(jié)
第三章 使用銀的表面鈍化作用增強(qiáng)CsPbBr₃納米晶體的熒光強(qiáng)度和光穩(wěn)定性
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)方案
        3.2.3 表征方法
        3.2.4 結(jié)果與討論
    3.3 本章總結(jié)
第四章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)



本文編號：3817793