摻鐿光纖是高功率激光器的核心材料,但在高能射線輻照后其應用性能會顯著下降,因此有必要對摻鐿光纖材料在輻照環(huán)境下的性能變化進行深入研究。采用改進型化學氣相沉積法結合稀土螯合物摻雜制備了系列光纖預制棒及光纖,測試了光纖在不同劑量下射線輻照前后的高功率輸出性能,以及光纖預制棒輻照前后的吸收光譜及鐿離子熒光壽命。結果表明:小劑量輻照后摻鐿光纖的高功率輸出顯著下降,通過預制棒吸收光譜可看出主要是因為伽馬輻照后使摻鐿光纖材料中Al的相關缺陷濃度增多,在可見光區(qū)域吸收損耗增加。Ce離子的摻雜通過緩減輻致鋁氧空位中心(Al-OHC)色心缺陷的增加,減少Yb離子熒光壽命的下降,可在一定程度上抑制高功率摻鐿光纖的輻致暗化。

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