發(fā)布時(shí)間：2023-05-12 23:20

　　對(duì)基于硅孔成型和玻璃—硅低溫陽(yáng)極鍵合實(shí)現(xiàn)微型氣室的工藝技術(shù)進(jìn)行研究。分析了不同基片表面狀態(tài)、溫度和電壓對(duì)陽(yáng)極鍵合工藝的影響并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證�；砻鏆馀萦^察、氣室剖面電鏡照片分析、鍵合強(qiáng)度測(cè)試和氣室密封性測(cè)試結(jié)果表明,該工藝技術(shù)能夠得到綜合性能良好的微氣室。在180～300℃溫度范圍內(nèi),樣品的鍵合強(qiáng)度在幾兆帕(MPa)到幾十兆帕范圍,微氣室漏氣率均優(yōu)于1.0×10-13Pa·m3·s-1,表明該工藝技術(shù)可用于堿金屬微氣室制備。

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)原理與方法
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
    2.1 基片表面狀態(tài)影響
        2.1.1 清洗過(guò)程
        2.1.2 激光打孔硅片表面處理
        2.1.3 KOH腐蝕硅孔工藝控制
    2.2 鍵合溫度影響
    2.3 鍵合電壓影響
3 結(jié)論



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