為了提高GaAsInP發(fā)光二極管的發(fā)光提取效率,在本文中,將其電流擴展層上生長光子晶體刻蝕深度作為損失的重要因素,并作為一個測試案例,分析波導在板中蝕刻的三個不同的氣孔形狀作為損失的關鍵因素,并且計算這些損耗以便在這種結構中達到更高的效率。并通過利用PhC板中的有效折射率建模和研究它們的傳輸來證明PhC在LED表征中的能力。最后,結果表明,仿真結果與實驗數(shù)據(jù)吻合良好,有限元建模中的大量傳輸表明,它可以提高超過10%的光提取效率,提高了LED的效率。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 光子晶體平板
    2.1 光子晶體平板波導
    2.2 光子晶體LED
3 有效指數(shù)和平面外損失
4 仿真實驗
    4.1 仿真設置
    4.2 性能評估
5 結論



本文編號：3814637