為了提高GaAsInP發(fā)光二極管的發(fā)光提取效率,在本文中,將其電流擴(kuò)展層上生長(zhǎng)光子晶體刻蝕深度作為損失的重要因素,并作為一個(gè)測(cè)試案例,分析波導(dǎo)在板中蝕刻的三個(gè)不同的氣孔形狀作為損失的關(guān)鍵因素,并且計(jì)算這些損耗以便在這種結(jié)構(gòu)中達(dá)到更高的效率。并通過(guò)利用PhC板中的有效折射率建模和研究它們的傳輸來(lái)證明PhC在LED表征中的能力。最后,結(jié)果表明,仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合良好,有限元建模中的大量傳輸表明,它可以提高超過(guò)10%的光提取效率,提高了LED的效率。

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 光子晶體平板
    2.1 光子晶體平板波導(dǎo)
    2.2 光子晶體LED
3 有效指數(shù)和平面外損失
4 仿真實(shí)驗(yàn)
    4.1 仿真設(shè)置
    4.2 性能評(píng)估
5 結(jié)論



本文編號(hào)：3814637