金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)屬于耗盡型器件,其集成的TFT的行驅(qū)動電路一般采用雙負電源方案,存在與外圍驅(qū)動芯片的匹配困難和功耗較大的不足。本文設計了一種新型耦合電路結(jié)構(gòu),可以產(chǎn)生比負電源更低的電壓從而完全關閉輸出模塊的下拉晶體管,防止氧化物TFT耗盡模式引起的電流泄露問題,并由此設計了新型氧化物TFT行驅(qū)動電路拓撲。由于只采用一個負電源,其電源電壓范圍比采用雙負電源方案的小,從而節(jié)省了功耗且有利于與外圍驅(qū)動芯片的匹配連接。實驗結(jié)果表明,基于刻蝕阻擋層(ESL)結(jié)構(gòu)的氧化物TFT工藝,在玻璃襯底上成功制備了該行驅(qū)動電路,在電阻負載R_L=3 kΩ和容性負載C_L=30 pF下,所設計的行驅(qū)動電路在33.3 kHz時鐘頻率下實現(xiàn)脈寬10μs的全擺幅輸出,每級功耗僅為160μW�；谛滦婉詈想娐方Y(jié)構(gòu)的行驅(qū)動電路能夠滿足60 Hz的刷新頻率的1 980×1 080分辨率的顯示需求。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 金屬氧化物薄膜晶體管工藝
3 電路拓撲與工作原理
    3.1 行驅(qū)動電路拓撲
    3.2 行驅(qū)動電路驅(qū)動時序及模塊連接關系
4 結(jié)果與討論
    4.1 SmartSpice仿真
    4.2 實驗及測試結(jié)果
5 結(jié) 論



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