透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體是一類既具有光學(xué)透明性又具備導(dǎo)電性的獨(dú)特材料。由于具有良好的場(chǎng)效應(yīng)遷移率、高的光學(xué)透明性和良好的環(huán)境穩(wěn)定性,人們對(duì)于透明半導(dǎo)體材料的關(guān)注度越來(lái)越高。這類半導(dǎo)體材料可應(yīng)用于下一代電子產(chǎn)品中,包括高性能、柔性和透明的電子應(yīng)用,對(duì)其的科學(xué)調(diào)研和市場(chǎng)需求日益增加。與硅材料類似,根據(jù)導(dǎo)電類型,氧化物半導(dǎo)體可分為電子傳輸?shù)膎型半導(dǎo)體和空穴傳輸?shù)膒型半導(dǎo)體。由于此類材料普遍具有分散化的導(dǎo)帶底和局域化的價(jià)帶頂,所以n型材料的電導(dǎo)率、遷移率等電學(xué)參數(shù)大大優(yōu)于p型材料。另一方面,雖然n型氧化物的電導(dǎo)率比較高,但過(guò)高的載流子濃度難以控制,導(dǎo)致其穩(wěn)定性有待提升。氧化銅CuO是為數(shù)不多的p型氧化物半導(dǎo)體之一,相對(duì)于其他p型氧化物(如氧化亞銅Cu₂O、氧化鎳NiO、氧化亞錫SnO、銅鐵礦系等等)來(lái)說(shuō),其化學(xué)態(tài)更穩(wěn)定,資源更豐富,可調(diào)的光學(xué)性質(zhì)也為其拓展了研究空間。而氧化銦In₂O₃是典型的n型氧化物半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用于光電顯示產(chǎn)業(yè)的氧化銦錫(ITO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)均是基于In₂O₃

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 研究背景及發(fā)展現(xiàn)狀
    1.2 氧化物半導(dǎo)體薄膜的表征方法
        1.2.1 X射線衍射技術(shù)
        1.2.2 X射線光電子能譜技術(shù)
        1.2.3 橢圓偏振光譜
    1.3 薄膜晶體管的工作原理及參數(shù)提取
        1.3.1 薄膜晶體管的工作原理
        1.3.2 薄膜晶體管的參數(shù)提取
    1.4 本文的研究意義和主要內(nèi)容
    1.5 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第二章 Ni摻雜對(duì)CuO薄膜光學(xué)性質(zhì)和能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)控
    2.1 Ni摻雜CuO的研究背景和發(fā)展現(xiàn)狀
    2.2 Cu_1-xNi_xO薄膜的理論計(jì)算、制備工藝和表征測(cè)試
        2.2.1 CuO和 Cu_0.5Ni_0.5O的理論計(jì)算
        2.2.2 Cu_1-xNi_xO薄膜的制備工藝
        2.2.3 Cu_1-xNi_xO薄膜的表征測(cè)試
    2.3 CuO和 Cu0.5Ni0.5O的電子能帶結(jié)構(gòu)
    2.4 Cu_1-xNi_xO薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、表面形貌以及化學(xué)組分和價(jià)態(tài)分析
        2.4.1 Cu_1-xNi_xO薄膜的結(jié)晶質(zhì)量分析
        2.4.2 Cu_1-xNi_xO薄膜的表面形貌分析
        2.4.3 Cu_1-xNi_xO薄膜的化學(xué)組分與價(jià)態(tài)分析
    2.5 Cu_1-xNi_xO薄膜基于橢偏的光學(xué)特性分析
        2.5.1 Cu_1-xNi_xO薄膜的光學(xué)常數(shù)分析
        2.5.2 Cu1-xNixO薄膜的電子躍遷分析
    2.6 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第三章 Ni摻雜對(duì)CuO薄膜晶體管性能的調(diào)控
    3.1 Ni摻雜CuO薄膜晶體管的研究背景及發(fā)展現(xiàn)狀
    3.2 Cu_1-xNi_xO薄膜晶體管的制備及表征
        3.2.1 Cu_1-xNi_xO薄膜晶體管的制備
        3.2.2 Cu_1-xNi_xO薄膜晶體管的表征
    3.3 Cu_1-xNi_xO薄膜的橢圓偏振光譜分析
        3.3.1 Cu_1-xNi_xO薄膜的光學(xué)常數(shù)分析
        3.3.2 Cu_1-xNi_xO薄膜的復(fù)介電函數(shù)和電子躍遷分析
        3.3.3 Cu_1-xNi_xO薄膜的吸收系數(shù)和光電導(dǎo)分析
    3.4 Cu_1-xNi_xO薄膜晶體管的電學(xué)性能分析
    3.5 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 Hf摻雜對(duì)In₂O₃ 晶體管偏壓穩(wěn)定性的改善
    4.1 Hf摻雜In₂O₃ 薄膜晶體管的研究背景及發(fā)展現(xiàn)狀
    4.2 高性能In_1-xHf_xO薄膜晶體管的制備及表征
        4.2.1 In_1-xHf_xO薄膜晶體管的制備
        4.2.2 In_1-xHf_xO薄膜晶體管的表征測(cè)試細(xì)節(jié)
    4.3 In_1-xHf_xO薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和化學(xué)組分和價(jià)態(tài)分析
        4.3.1 In_1-xHf_xO薄膜的結(jié)晶質(zhì)量分析
        4.3.2 In_1-xHf_xO薄膜的化學(xué)組分和價(jià)態(tài)分析
    4.4 In_1-xHf_xO薄膜晶體管的電學(xué)性能分析
        4.4.1 Hf摻雜對(duì)In₂O₃ 晶體管遷移率、開(kāi)關(guān)比等關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)的調(diào)控作用
        4.4.2 Hf摻雜對(duì)In₂O₃ 晶體管偏壓穩(wěn)定性的影響
    4.5 In_1-xHf_xO晶體管隨時(shí)間推移而產(chǎn)生的性能下降現(xiàn)象
    4.6 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 主要研究成果總結(jié)
    5.2 展望
附錄Ⅰ 科研成果清單
附錄Ⅱ 致謝



本文編號(hào)：3808565