設(shè)計(jì)了一種用于超低功耗線性穩(wěn)壓器電路的基準(zhǔn)電壓源,研究了NMOSFET閾值電壓的溫度特性。采用耗盡/增強(qiáng)型電壓基準(zhǔn)結(jié)構(gòu),顯著降低了功耗。采用共源共柵型結(jié)構(gòu),提高了電源抑制比。設(shè)計(jì)了數(shù)�；旌霞扇劢z修調(diào)網(wǎng)絡(luò),優(yōu)化了輸出電壓精度和溫漂。電路基于0.35μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明,在2.2～5.5 V輸入電壓下,基準(zhǔn)電壓為814 mV,精度可達(dá)±1%。在-40℃～125℃范圍內(nèi),溫漂系數(shù)為2.52×10^-5/℃。低頻下,電源抑制比為-99.17 dB,靜態(tài)電流低至27.4 nA。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源
2 NMOS管閾值電壓的溫度特性
3 超低功耗基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
    3.1 耗盡/增強(qiáng)型基準(zhǔn)電壓源
    3.2 超低功耗基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)
4 仿真結(jié)果與分析
5 應(yīng)用實(shí)例
6 結(jié) 論



本文編號(hào)：3805989