GaN基LED芯片電極結構的優(yōu)化及制備
發(fā)布時間:2023-04-28 14:29
針對GaN基正裝結構的LED芯片存在電流分布不均勻的問題,對傳統(tǒng)的電極結構進行優(yōu)化設計。通過建立有限元分析軟件COMSOL的三維仿真模型,對傳統(tǒng)結構和優(yōu)化電極結構的芯片有源層電流分布進行了仿真,結果表明優(yōu)化后的芯片電流分布更均勻。然后制備了不同結構的LED芯片進行光電性能測試,發(fā)現(xiàn)將N電極形狀改變?yōu)樯刃谓Y構能提高LED的出光效率,在輸入電流為20mA時,LED芯片的輸出光功率為31.84mW,出光效率為52.03%,相比傳統(tǒng)LED芯片出光效率提高了6.14%。
【文章頁數(shù)】:7 頁
【文章目錄】:
1 引言
2 理論分析與仿真模型
2.1 理論分析
2.2 仿真模型
3 實驗樣品的制備
4 實驗結果與分析
5 結論
本文編號:3803974
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1 引言
2 理論分析與仿真模型
2.1 理論分析
2.2 仿真模型
3 實驗樣品的制備
4 實驗結果與分析
5 結論
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