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GaN基LED芯片電極結(jié)構(gòu)的優(yōu)化及制備

發(fā)布時(shí)間:2023-04-28 14:29
  針對GaN基正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片存在電流分布不均勻的問題,對傳統(tǒng)的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。通過建立有限元分析軟件COMSOL的三維仿真模型,對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)和優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)的芯片有源層電流分布進(jìn)行了仿真,結(jié)果表明優(yōu)化后的芯片電流分布更均勻。然后制備了不同結(jié)構(gòu)的LED芯片進(jìn)行光電性能測試,發(fā)現(xiàn)將N電極形狀改變?yōu)樯刃谓Y(jié)構(gòu)能提高LED的出光效率,在輸入電流為20mA時(shí),LED芯片的輸出光功率為31.84mW,出光效率為52.03%,相比傳統(tǒng)LED芯片出光效率提高了6.14%。

【文章頁數(shù)】:7 頁

【文章目錄】:
1 引言
2 理論分析與仿真模型
    2.1 理論分析
    2.2 仿真模型
3 實(shí)驗(yàn)樣品的制備
4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
5 結(jié)論



本文編號:3803974

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