為了實現對微波器件高功率微波效應的分析,主要從不同尺度半導體器件和波導器件出發(fā),基于具有譜精度的譜元時域法,開展從微米尺度到納米尺度半導體器件電熱耦合一體化分析的方法以及高功率微波氣體放電效應及抑制機理的研究.得到了半導體器件在電磁信號作用下發(fā)生的電熱參數分布變化規(guī)律和微波器件在高功率微波下發(fā)生的氣體放電及其抑制機理,根據以上相關效應機理,可為復雜電磁環(huán)境中的器件設計提供理論指導.

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【文章目錄】：
引 言
1 半導體器件高功率微波效應多物理場建模方法
    1.1 不同尺度半導體器件物理模型分析
        1.1.1 微米級二極管
        1.1.2 亞微米/深亞微米級二極管
        1.1.3 納米級二極管
    1.2 納米級半導體器件電熱一體化分析
        1) 密度梯度模型驗證
        2) DPL熱方程驗證
        3) 納米MOSFET的電熱一體化仿真分析
2 高功率微波氣體放電效應多物理場分析
3 結 論



本文編號：3801762