介紹了一種利用高介電常數(shù)薄膜改進(jìn)的、制作于絕緣襯底上的橫向絕緣柵雙極型晶體管(SOI-LIGBT)。一方面,覆蓋在硅表面的高介電常數(shù)薄膜具有引導(dǎo)電通量的作用,可優(yōu)化器件漂移區(qū)的表面電場(chǎng)分布,在器件耐壓等級(jí)不變的情況下,節(jié)約芯片面積,提高導(dǎo)電能力。另一方面,采用高介電常數(shù)薄膜有利于減少漂移區(qū)中存儲(chǔ)的非平衡載流子,可縮短器件的關(guān)斷時(shí)間,降低器件的關(guān)斷損耗。仿真結(jié)果表明,相比于傳統(tǒng)500 V等級(jí)的SOI-LIGBT,利用高介電常數(shù)薄膜改進(jìn)的新器件可使器件長度縮短15%,導(dǎo)通壓降降低10%,關(guān)斷時(shí)間縮短42%,關(guān)斷損耗減小61%。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 器件結(jié)構(gòu)與參數(shù)
2 仿真結(jié)果與討論
    2.1 High-k薄膜對(duì)器件耐壓時(shí)表面電場(chǎng)的優(yōu)化
    2.2 High-k薄膜對(duì)器件關(guān)斷過程的改進(jìn)
    2.3 器件VCE(SAT)與導(dǎo)通損耗(Eoff)的折中關(guān)系
3 結(jié) 論



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