日盲紫外光是一種波長(zhǎng)介于200 nm和280 nm之間的電磁輻射,日盲紫外探測(cè)器不需使用冷卻裝置,環(huán)境適應(yīng)性較好,在導(dǎo)彈預(yù)警、紫外成像、紫外保密通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。雖然日盲紫外探測(cè)器具有一系列的優(yōu)勢(shì),但是目前的日盲紫外探測(cè)器也面臨的一些較為普遍的問(wèn)題:如寬禁帶半導(dǎo)體與金屬接觸性能較差;常見(jiàn)的金屬電極使得光信號(hào)的有效接收率下降,容易導(dǎo)致器件性能參數(shù)較低;基于半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)的材料制備條件不好精確控制,制備的器件容易受環(huán)境因素影響,使得探測(cè)器件穩(wěn)定性以及重復(fù)性較差。為了改善器件面臨的以上問(wèn)題,我們通過(guò)在高質(zhì)量的n型β-Ga₂O₃單晶片未拋光面蒸鍍一層Cr/Au電極,另一面轉(zhuǎn)移石墨烯,在這項(xiàng)研究中,制備的MLG-Ga₂O₃結(jié)型器件具有較好的整流特性,并且對(duì)254 nm日盲紫外光具有很高的響應(yīng),器件的光電測(cè)試結(jié)果表明該器件具有很好的穩(wěn)定性和重復(fù)性。計(jì)算出器件的響應(yīng)度和探測(cè)率分別高達(dá)39.3 A/W和5.92×10¹³ Jones,器件性能參數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于大多數(shù)基于Ga₂...

【文章頁(yè)數(shù)】：68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
        1.1.1 日盲紫外光的簡(jiǎn)介
        1.1.2 日盲紫外光的探測(cè)
    1.2 寬禁帶半導(dǎo)體Ga₂O₃的簡(jiǎn)介
        1.2.1 Ga₂O₃基本結(jié)構(gòu)及其薄膜制備方法
        1.2.2 Ga₂O₃的應(yīng)用前景
    1.3 日盲紫外光電探測(cè)器的簡(jiǎn)介
        1.3.1 日盲紫外光電探測(cè)器的工作原理
        1.3.2 日盲紫外光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)類型
    1.4 日盲紫外光探測(cè)器的應(yīng)用
        1.4.1 日盲紫外光探測(cè)器的軍事應(yīng)用
        1.4.2 日盲紫外光探測(cè)器的民事應(yīng)用
    1.5 日盲紫外光探測(cè)器的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.6 本課題研究背景、意義和目的
第二章 高質(zhì)量多層石墨烯的制備以及相關(guān)表征
    2.1 引言
    2.2 石墨烯的常見(jiàn)制備方法簡(jiǎn)介
    2.3 實(shí)驗(yàn)所用藥品及設(shè)備簡(jiǎn)介
        2.3.1 實(shí)驗(yàn)所用藥品
        2.3.2 實(shí)驗(yàn)所用設(shè)備
    2.4 石墨烯的制備及轉(zhuǎn)移
        2.4.1 石墨烯的制備方法
        2.4.2 石墨烯濕法轉(zhuǎn)移基本方法
        2.4.3 石墨烯的轉(zhuǎn)移方法研究以及改善
    2.5 石墨烯和β-Ga₂O₃的表征
        2.5.1 石墨烯的SEM分析
        2.5.2 石墨烯的AFM分析
        2.5.3 石墨烯和β-Ga₂O₃單晶片的拉曼分析
第三章 石墨烯/β-Ga₂O₃新型日盲紫外光探測(cè)器的制備及其光電性能分析
    3.1 引言
    3.2 石墨烯/β-Ga₂O₃構(gòu)成的日盲紫外探測(cè)器件的制備
    3.3 器件的光電性能探究
        3.3.1 器件的光電參數(shù)的測(cè)試及分析
        3.3.2 器件的光譜選擇性能研究及機(jī)理總結(jié)
    3.4 本章小結(jié)
第四章 全文總結(jié)及展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)活動(dòng)及成果情況



本文編號(hào)：3795704