Zn Mg O基材料具有寬的帶隙調(diào)節(jié)范圍(從3.37 e V到7.8 e V)、高的電子飽和漂移速度、強的抗輻射能力、匹配的單晶襯底(Zn O和Mg O)、低的缺陷密度、容易合成、無毒無害、資源豐富和環(huán)境友好等優(yōu)于窄帶隙半導體和其他寬帶隙半導體的材料性質(zhì),使其成為紫外探測的候選材料之一。低的暗電流和高的響應(yīng)度一直是Zn Mg O紫外探測器的追求。六角相Zn Mg O紫外探測器通常具有較高的響應(yīng)度,然而暗電流卻較大;立方相Zn Mg O紫外探測器雖然具有較低的暗電流,但是響應(yīng)度卻較低�；煜郱n Mg O由于同時具有六角相和立方相Zn Mg O,其紫外探測器有望同時具有兩者的優(yōu)勢。目前,已報到的混相Zn Mg O紫外探測器通常具有較高的響應(yīng)度,器件的暗電流依然較大。更重要的是,由于混相薄膜具有兩個區(qū)分明顯的吸收邊導致器件具有兩個探測帶并且探測截止邊不可控。這些問題限制了混相Zn Mg O紫外探測器的進一步應(yīng)用。針對目前混相Zn Mg O紫外探測器具有雙探測截止邊以及暗電流較大等問題,本論文進行了細致的研究并取得了一些突破性的成果,具體如下:(1)針對目前混相Zn Mg O薄膜具有兩個區(qū)分明...

【文章頁數(shù)】：114 頁

【學位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
目錄
第1章 緒論
    1.1 紫外輻射與紫外探測器
    1.2 半導體紫外光電探測器的基本原理和性能參數(shù)
    1.3 ZnMgO的物理特性及其紫外探測器的研究進展
    1.4 混相ZnMgO紫外探測器的優(yōu)勢及存在的問題
    1.5 論文的選題依據(jù)和研究內(nèi)容
第2章 ZnMgO材料及MSM器件的制備方法與表征手段
    2.1 ZnMgO薄膜材料的制備方法
    2.2 MSM器件的制備工藝
    2.3 薄膜性質(zhì)和器件性能表征手段
    2.4 本章小結(jié)
第3章 具有單一吸收邊的混相ZnMgO薄膜的制備和特性研究
    3.1 單相ZnMgO薄膜的制備
    3.2 單相ZnMgO薄膜的表面、結(jié)構(gòu)以及光學特性的研究
    3.3 具有單一吸收邊的混相ZnMgO薄膜的制備
    3.4 具有單一吸收邊的混相ZnMgO薄膜的表面、結(jié)構(gòu)以及光學特性的研究
    3.5 具有單一吸收邊的混相ZnMgO薄膜的生長機理探究
    3.6 本章小結(jié)
第4章 混相ZnMgO紫外探測器的制備和特性研究
    4.1 MSM 結(jié)構(gòu)混相 ZnMgO紫外探測器的制備
    4.2 MSM結(jié)構(gòu)混相ZnMgO紫外探測器的光電特性研究
    4.3 混相ZnMgO紫外探測器的低暗電流和高響應(yīng)度機制探究
    4.4 本章小結(jié)
第5章 混相ZnMgO紫外探測器和其他ZnMgO器件的性能對比
    5.1 立方相 Zn Mg O 紫外探測器的制備和特性研究
    5.2 六角相ZnMgO紫外探測器的制備和特性研究
    5.3 混相ZnMgO紫外探測器和其他ZnMgO紫外探測器性能對比
    5.4 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論與展望
    6.1 全文總結(jié)
    6.2 研究展望
參考文獻
在學期間學術(shù)成果情況
指導教師及作者簡介
致謝



本文編號：3789809