發(fā)布時(shí)間：2023-04-07 02:31

　　本研究采用熱蒸鍍結(jié)合低氧壓熱活化技術(shù),在FTO玻璃表面沉積制備了厚度為200～300 nm的MgO薄膜和MgO-ZnO復(fù)合薄膜,比較測(cè)試了薄膜的次級(jí)電子發(fā)射性能。采用掃描電鏡、能譜儀、X射線衍射、X射線光電子能譜儀、俄歇電子譜儀表征了薄膜材料的顯微形貌、厚度、結(jié)構(gòu)及元素深度分布。測(cè)試了薄膜的次級(jí)發(fā)射系數(shù)(δ)隨一次電子能量(E_p)和持續(xù)電子束轟擊時(shí)間的變化情況。采用基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算分析了摻雜Zn²⁺的MgO薄膜的電子態(tài)密度分布。研究結(jié)果表明,相對(duì)于MgO薄膜,MgO-ZnO復(fù)合薄膜具有更優(yōu)異的δ和耐電子束轟擊穩(wěn)定性。其在氧壓5 Pa、500℃活化30 min后,在E_p為800 eV轟擊時(shí)最大次級(jí)發(fā)射系數(shù)(δ_m)高達(dá)12.1,且經(jīng)過E_p為600 eV、一次電子束流20μA持續(xù)轟擊120 h后δ_m仍大于11。次級(jí)發(fā)射性能提升的主要原因是薄膜中ZnO的摻雜降低了MgO的禁帶寬度,以及部分Zn單質(zhì)的存在有效抵制了表面荷電效應(yīng)。

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 薄膜材料制備
    1.2 材料表征與測(cè)試
2 結(jié)果與討論
    2.1 熱蒸鍍-熱活化MgO薄膜的表征分析
    2.2 熱蒸鍍-熱活化MgO-ZnO復(fù)合薄膜的表征分析
    2.3 MgO、MgO-ZnO薄膜次級(jí)電子發(fā)射性能研究
    2.4 摻雜Zn的MgO的電子態(tài)密度分布計(jì)算
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3784909