研究了一種新型抑制劑(2,2′-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亞氨基]雙乙醇,TT-LYK)在高碘酸鉀(KIO₄)體系下對Cu/Ru電偶腐蝕的影響。通過電化學(xué)實驗研究了抑制劑對Cu/Ru電偶腐蝕的抑制情況,使用X射線光電子能譜(XPS)分析了抑制劑在Ru表面的作用機理,使用原子力顯微鏡(AFM)觀測拋光后晶圓的表面形貌。電化學(xué)測試結(jié)果顯示,隨著拋光溶液中抑制劑質(zhì)量分數(shù)的升高,Cu和Ru之間的腐蝕電位差逐漸從730 mV降低到37 mV。新型抑制劑TT-LYK在Cu互連Ru阻擋層化學(xué)機械平坦化(CMP)中能夠抑制Cu/Ru的電偶腐蝕。抑制劑TT-LYK與Ru發(fā)生反應(yīng),在Ru表面生成一層鈍化膜,抑制了Cu和Ru之間的電偶腐蝕。拋光液中添加抑制劑TT-LYK后,拋光后Cu的表面粗糙度由5.94 nm降低到0.39 nm,Ru的表面粗糙度由5.12 nm降低到0.24 nm。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 材料的制備
    1.2 電化學(xué)實驗
    1.3 表面效果實驗
    1.4 拋光實驗
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



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