壓接式電子注入增強(qiáng)型門極晶體管PP-IEGT(press pack-injection enhanced gate transistor)封裝內(nèi)采用多芯片并聯(lián)結(jié)構(gòu),芯片間的布局對器件溫升與穩(wěn)定性有著重要影響。在現(xiàn)有的對齊陣列布局下,芯片間嚴(yán)重的熱耦合效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致器件結(jié)溫較高,因此提出一種交錯(cuò)陣列的圓形布局�；谟邢拊獰岱�(wěn)態(tài)仿真分析,對比了2種布局下的芯片溫度分布,以及封裝內(nèi)各層組件的溫度差異;同時(shí),考慮不同功率損耗和外部散熱條件的影響,對2種布局下各層組件溫度變化進(jìn)行了討論。結(jié)果表明,提出的交錯(cuò)陣列布局可有效改善熱耦合效應(yīng),芯片上的熱量得到更好地耗散。此外,各芯片和器件整體的溫度分布均勻性得到了提高,為更大電流參數(shù)PP-IEGT的芯片布局設(shè)計(jì)和穩(wěn)定工作提供了參考。

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【文章目錄】：
1 PP-IEGT熱模型建立
2 對齊陣列布局
3 交錯(cuò)陣列布局
4 結(jié)論



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