相較于傳統(tǒng)的吸收層-電荷層-倍增層分離(SACM)的鍺/硅雪崩光電二極管(APD),水平APD器件結(jié)構(gòu)及工藝流程簡(jiǎn)單,且從設(shè)計(jì)上避免了電荷層的雜質(zhì)濃度控制的難題。選用絕緣體上硅(SOI)晶圓片,基于0.18μm CMOS兼容工藝制備了一種高性能的波導(dǎo)集成水平鍺/硅APD。對(duì)APD的器件參數(shù)進(jìn)行了晶圓級(jí)測(cè)試,包括暗電流、光響應(yīng)度以及帶寬。測(cè)試結(jié)果表明,吸收區(qū)寬度為0.5μm、兩側(cè)間隔區(qū)寬度為0.8μm的器件在反偏電壓-27.5 V下光響應(yīng)度高達(dá)75.89 A/W,間隔區(qū)寬度為0.3μm時(shí)雪崩擊穿電壓低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩擊穿電壓附近測(cè)得3 dB帶寬達(dá)20.06 GHz。

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【文章目錄】：
0 引言
1 器件結(jié)構(gòu)及制備工藝
2 器件測(cè)試結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3772274