納米復合Sn帽銅柱面陣列凸點的制備及其互連性能研究
本文關鍵詞:納米復合Sn帽銅柱面陣列凸點的制備及其互連性能研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:隨著電子封裝技術的快速發(fā)展,電子產品逐漸向微型化、高集成度化和多功能化方向發(fā)展,面陣列銅柱凸點倒裝互連封裝技術,因具有良好的導熱、導電、以及可提供更多的I/O端口數(shù)量而受到了廣泛關注。目前,銅柱凸點直接互連尚存在工藝實現(xiàn)上的困難,因此,工程應用上常采用錫基焊料實現(xiàn)銅柱凸點與焊盤的互連,但是,這種互連方式因界面存在Cu-Sn原子間的互擴散現(xiàn)象,使得互連接頭易產生嚴重的可靠性問題,特別是電子產品尺寸日益減小的趨勢下,導致Cu-Sn互擴散問題變得更加突出。因而,如何抑制界面Cu-Sn互擴散和界面IMC生長問題成為提高面陣列銅柱凸點倒裝互連可靠性的關鍵技術問題。針對這一問題,論文采用納米α-Fe_2O_3粒子添加制備納米復合Sn帽銅柱面陣列凸點,研究-65-150oC高低溫循環(huán)和150oC熱老化條件下,納米α-Fe_2O_3粒子對界面Cu-Sn互擴散、界面IMC生長以及互連接頭剪切強度影響規(guī)律和影響機制。研究結果表明,在高低溫循環(huán)條件下,隨著α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度的增加,復合焊料/銅柱界面金屬間化合物層的形貌逐漸由筍丁狀變得平緩,且其界面Cu6Sn5化合物的晶粒大小逐漸減小。添加適當濃度的納米顆?梢悦黠@抑制界面IMC的生長,降低界面IMC層的厚度以及Cu3Sn層的生長速率。同時,不同納米添加濃度的復合Sn帽銅柱凸點經高低溫循環(huán)后,其接頭剪切強度均隨著循環(huán)次數(shù)的增加呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢。當循環(huán)次數(shù)較低時,添加濃度為0.024g/L的納米復合Sn帽銅柱凸點互連接頭剪切強度最大;當循環(huán)次數(shù)超過100次時,添加濃度為0.032g/L的納米復合銅柱凸點互連接頭剪切強度最大。對比分析表明,添加0.024g/L的α-Fe_2O_3納米復合Sn帽銅柱凸點互連接頭剪切強度隨高低溫循環(huán)次數(shù)變化的改變量較小,表明其更能適應溫度的變化。通過吸附理論和第二相顆粒增強理論分別分析α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對界面IMC生長和互連接頭剪切強度的影響機制。在高溫熱老化條件下,不同添加濃度的α-Fe_2O_3納米復合Sn帽銅柱凸點界面IMC層的厚度均隨著熱老化時間的延長而呈現(xiàn)一直增加的趨勢。在相同的熱老化時間下,隨著α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度的增加,復合Sn帽銅柱凸點界面IMC的厚度及對應的生長速率常數(shù)均先減小后增加,互連接頭剪切強度則先增加后減小。當納米顆粒的添加濃度為0.024 g/L時,納米復合Sn帽銅柱凸點界面IMC層的生長速率常數(shù)最小,互連接頭剪切強度最大,具有良好的力學性能穩(wěn)定性。
【關鍵詞】:α-Fe_2O_3納米顆粒 納米復合Sn帽銅柱凸點 高低溫循環(huán) 熱老化 金屬間化合物 剪切強度
【學位授予單位】:北京理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN405;TB383.1
【目錄】:
- 摘要5-7
- Abstract7-12
- 第1章 緒論12-23
- 1.1 課題背景及研究意義12-15
- 1.2 銅柱凸點研究現(xiàn)狀15-19
- 1.2.1 銅焊接概述15-17
- 1.2.2 銅柱凸點可靠性研究現(xiàn)狀17-19
- 1.3 Sn基鉛焊料研究現(xiàn)狀19-22
- 1.3.1 Sn基無鉛焊料概述19
- 1.3.2 焊料合金化研究現(xiàn)狀19-20
- 1.3.3 納米顆粒增強復合焊料研究現(xiàn)狀20-21
- 1.3.4 納米顆粒對復合焊料/銅界面微觀組織生長的影響機理21-22
- 1.4 本文主要研究內容22-23
- 第2章 試驗設計方案23-34
- 2.1 α-Fe_2O_3納米顆粒的制備23-24
- 2.1.1 Fe3O4納米顆粒的制備23
- 2.1.2 Fe_2O_3納米顆粒的制備23-24
- 2.2 納米復合Sn鍍層的制備24-27
- 2.2.1 堿性電鍍鍍液的制備24-25
- 2.2.2 納米復合Sn鍍層制備流程25-27
- 2.3 納米復合Sn帽銅柱凸點的制備27-29
- 2.4 納米復合Sn帽銅柱凸點的互連性能測試29-31
- 2.4.1 高低溫循環(huán)性能測試29-30
- 2.4.2 熱老化性能測試30-31
- 2.5 納米復合Sn帽銅柱凸點的接頭強度測試31-32
- 2.6 試樣的觀察及分析測試方法32-34
- 2.6.1 納米復合Sn帽銅柱凸點界面IMC的金相樣品的制備32
- 2.6.2 納米復合Sn帽銅柱凸點表面IMC的金相樣品的制備32
- 2.6.3 金相樣品的觀察手段和分析方法32-33
- 2.6.4 界面IMC尺寸計算方法33-34
- 第3章 納米復合Sn帽銅柱凸點的表征34-39
- 3.1 Fe_2O_3納米顆粒的形貌觀察與物相分析34-35
- 3.2 納米復合Sn帽銅柱凸點的形貌觀察和物相分析35-38
- 3.3 本章小結38-39
- 第4章 納米復合Sn帽銅柱凸點的高低溫循環(huán)性能研究39-64
- 4.1 不同循環(huán)次數(shù)下納米復合Sn帽銅柱凸點的微觀組織演變39-54
- 4.1.1 界面IMC的形貌與成分分析39-41
- 4.1.2 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對界面IMC生長速率的影響規(guī)律41-49
- 4.1.3 表面IMC的形貌與成分分析49-51
- 4.1.4 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對表面IMC演變的影響規(guī)律51-53
- 4.1.5 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對微觀組織演變的作用機理53-54
- 4.2 不同循環(huán)次數(shù)下納米復合Sn帽銅柱凸點的接頭剪切強度研究54-61
- 4.2.1 α-Fe_2O_3納米顆粒對接頭剪切強度的影響規(guī)律54-58
- 4.2.2 α-Fe_2O_3納米顆粒對剪切斷口的影響規(guī)律58-61
- 4.3 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對晶粒細化的作用機理61-62
- 4.4 本章小結62-64
- 第5章 納米復合Sn帽銅柱凸點的熱老化性能研究64-79
- 5.1 不同循環(huán)次數(shù)下納米復合Sn帽銅柱凸點的微觀組織演變64-73
- 5.1.1 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對界面IMC演變的影響規(guī)律64-72
- 5.1.2 α-Fe_2O_3納米顆粒添加濃度對表面IMC演變的影響規(guī)律72-73
- 5.2 不同循環(huán)次數(shù)下納米復合Sn帽銅柱凸點的接頭剪切強度研究73-77
- 5.2.1 α-Fe_2O_3納米顆粒對接頭剪切強度的影響規(guī)律73-76
- 5.2.2 α-Fe_2O_3納米顆粒對剪切斷口的影響規(guī)律76-77
- 5.3 本章小結77-79
- 結論79-81
- 參考文獻81-87
- 攻讀學位期間發(fā)表論文與研究成果清單87-88
- 致謝88
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6 Tadatomo Suga;Keisuke Saito;;一種新型的應用無鉛焊膏的凸點工藝[A];2004中國電子制造技術論壇——無鉛焊接技術譯文集(下冊)[C];2004年
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本文關鍵詞:納米復合Sn帽銅柱面陣列凸點的制備及其互連性能研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號:377061
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