發(fā)布時(shí)間：2023-03-19 03:15

　　對于晶圓級封裝中硅基蓋帽的制備工藝,采用NaOH腐蝕體系對Si〈100〉襯底進(jìn)行濕法深腐蝕,研究了腐蝕液質(zhì)量分?jǐn)?shù)、添加劑添加量及腐蝕溫度對腐蝕速率和形貌的影響。針對深腐蝕中掩膜易脫落的缺點(diǎn),提出了一種先用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法沉積SiO2介質(zhì)層,再用磁控濺射生長CrAu金屬層的方法,SiO2介質(zhì)層和CrAu金屬層作為雙層掩膜。研究結(jié)果表明:硅的腐蝕速率隨溫度的增加呈指數(shù)增加,在飽和NaOH溶液中腐蝕速率最快,腐蝕速率可達(dá)15μm/min。最終腐蝕出表面平整、界面清晰的硅基蓋帽,蓋帽空間面積為2 cm×2 cm,深度超過100μm,復(fù)合掩膜層沒有開裂、脫落現(xiàn)象,具有優(yōu)異的抗腐蝕性。該腐蝕工藝對紅外焦平面陣列(IRFPA)探測器晶圓級封裝具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 封裝結(jié)構(gòu)及腐蝕實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與分析
3 結(jié)論



本文編號：3764440