發(fā)布時間：2023-03-18 21:21

　　有機發(fā)光二極管(OLED)因其自身的眾多優(yōu)勢在平板顯示器件和固態(tài)照明光源中得到了廣泛研究和應(yīng)用。與真空蒸鍍法相比較而言,溶液法制備的OLED器件具有制備工藝簡單、制備成本較低、材料利用率高等優(yōu)勢,在制備大面積發(fā)光和顯示器件方面體現(xiàn)出更高的應(yīng)用價值。本論文的研究目的是利用溶液法來制備高性能的OLED器件,主要研究了三種類型的復(fù)合型空穴注入層,通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化將其應(yīng)用于OLED中,提高了器件的空穴注入能力,最終在降低器件驅(qū)動電壓的同時獲得了高性能的發(fā)光。本文研究了以下內(nèi)容:1.制備了一種結(jié)構(gòu)新穎的復(fù)合空穴注入層PTAA/AgNWs/PTAA,利用SEM和AFM測試表征了復(fù)合空穴注入層的表面形貌,通過Kelvin探針、UPS和阻抗譜對其能級結(jié)構(gòu)與注入機理進行了研究。在調(diào)節(jié)了AgNWs的摻雜比例以及優(yōu)化了復(fù)合空穴注入層的成膜質(zhì)量后,將其應(yīng)用于柔性O(shè)LED器件中,該器件在9 V下獲得了6051 cd/m²的最大發(fā)光亮度,在55.73 mA/cm²的電流密度下獲得了1.76 cd/A的最大電流效率,與不含復(fù)合型空穴注入層的參比器件相比分別提高了45%和75%...

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 有機電致發(fā)光器件的發(fā)展歷程、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展前景
        1.2.1 OLED的發(fā)展歷程
        1.2.2 OLED的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展前景
    1.3 有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理、器件結(jié)構(gòu)及制備方法
        1.3.1 OLED器件的發(fā)光原理
        1.3.2 OLED的器件結(jié)構(gòu)
        1.3.3 OLED的制備方法
    1.4 溶液法制備小分子有機電致發(fā)光器件的研究進展
        1.4.1 基于主客體摻雜型發(fā)光層的OLED器件
        1.4.2 基于界面修飾層的OLED器件
    1.5 本論文的主要研究內(nèi)容
第二章 PTAA/AgNWs/PTAA復(fù)合空穴注入層對藍光柔性O(shè)LED的發(fā)光性能影響
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 實驗藥品與儀器設(shè)備
        2.2.2 柔性有機電致發(fā)光器件的制備
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 藍光FOLED器件的性能分析
        2.3.2 c-HIL復(fù)合薄膜的表面形貌分析
        2.3.3 c-HIL復(fù)合薄膜的能級分析
        2.3.4 c-HIL復(fù)合薄膜的光學特性分析
        2.3.5 c-HIL復(fù)合薄膜的阻抗譜分析
    2.4 本章小結(jié)
第三章 基于PEDOT:PSS摻雜HA-DHCA-AuNPs作為空穴注入層制備綠光OLED
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 實驗藥品設(shè)備儀器
        3.2.2 以3,4-二羥苯基丙酸(DHCA)為模板的AuNPs材料的合成
        3.2.3 OLED的制備
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 PEDOT:PSS摻雜HA-DHCA-AuNPs作為HIL的 OLED的性能分析
        3.3.2 PEDOT:PSS摻雜HA-DHCA-AuNPs HIL表面形貌的分析
        3.3.3 PEDOT:PSS摻雜HA-DHCA-AuNPs作為HIL的 OLED器件阻抗分析
        3.3.4 PEDOT:PSS摻雜HA-DHCA-AuNPs作為HIL的 OLED器件能級分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 PTAA:F4-TCNQ作為空穴注入層提高磷光OLED器件的發(fā)光性能
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 實驗藥品實驗儀器
        4.2.2 有機電致發(fā)光器件的制備
    4.3 實驗結(jié)果與討論
        4.3.1 摻雜不同濃度F4-TCNQ作為HIL的OLED的性能分析
        4.3.2 摻雜不同濃度F4-TCNQ的 HIL能級分析
        4.3.3 摻雜不同濃度F4-TCNQ的 HIL光譜分析
        4.3.4 摻雜不同濃度F4-TCNQ的 HIL表面粗糙度及導(dǎo)電性的分析
        4.3.5 摻雜不同濃度F4-TCNQ的阻抗譜分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 工作展望
參考文獻
發(fā)表論文和科研情況說明
致謝



本文編號：3763890