紫外探測器具有體積小、響應(yīng)快、靈敏度高、成本低等特點,故此,紫外探測器在民用和軍用等方面都有非常重要的應(yīng)用價值,越來越受到人們的普遍重視。由于ZnO半導(dǎo)體具有生長溫度低、電子誘生缺陷低、閾值電壓低、高光電導(dǎo)特性、化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性高等特性,所以ZnO紫外探測器的研究也隨之得到了迅速發(fā)展。為了獲得高性能的ZnO紫外探測器,研究者們從材料成分、材料尺度、器件結(jié)構(gòu)等不同角度設(shè)計器件。本論文從器件結(jié)構(gòu)方面構(gòu)思,分別設(shè)計并研究了垂直p-n結(jié)紫外探測器和徑向p-n結(jié)紫外探測器。具體研究內(nèi)容包括：第一部分包括采用磁控濺射法制備NiO薄膜和溶膠-凝膠技術(shù)制備ZnO薄膜,將兩種半導(dǎo)體材料結(jié)合在一起,構(gòu)制出新型NiO/ZnO垂直p-n結(jié)薄膜紫外探測器。探究垂直p-n結(jié)紫外探測器的工作原理,對器件電學(xué)性能進(jìn)行測試得知,相比ZnO薄膜器件,該器件暗電流降低了一個量級,開關(guān)電流比隨之增大了一個量級,且響應(yīng)速度也有所提高。第二部分包括利用化學(xué)氣相沉積法和電化學(xué)沉積法制備出ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列。利用該結(jié)構(gòu)設(shè)計出ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列徑向p-n結(jié)紫外探測器,并闡述此結(jié)構(gòu)器件...

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 紫外探測器
        1.2.1 紫外探測器的歷史及應(yīng)用
        1.2.2 紫外探測器的原理
    1.3 ZnO紫外探測器的研究概況
        1.3.1 光電導(dǎo)型紫外探測器
        1.3.2 光伏型紫外探測器
    1.4 本論文主要研究內(nèi)容
第二章 NiO/ZnO垂直p-n結(jié)薄膜紫外探測器
    2.1 垂直p-n結(jié)器件的應(yīng)用
    2.2 NiO/ZnO薄膜材料的制備與表征
        2.2.1 NiO薄膜材料的制備與表征
        2.2.2 ZnO薄膜材料的制備與表征
    2.3 NiO/ZnO垂直p-n結(jié)薄膜紫外探測器工作原理及性能測試
        2.3.1 NiO/ZnO垂直p-n結(jié)薄膜紫外探測器工作原理
        2.3.2 NiO/ZnO垂直p-n結(jié)薄膜紫外探測器性能測試
    2.4 本章小結(jié)
第三章 ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列徑向p-n結(jié)紫外探測器
    3.1 核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列徑向p-n結(jié)的應(yīng)用
    3.2 ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列的制備與表征
        3.2.1 ZnO納米線陣列的制備與表征
        3.2.2 ZnO/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列的制備與表征
        3.2.3 ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列的制備與表征
    3.3 ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列徑向p-n結(jié)紫外探測器工作原理及性能測試
        3.3.1 ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列徑向p-n結(jié)紫外探測器工作原理
        3.3.2 ZnO/CdS/CdTe核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列徑向p-n結(jié)紫外探測器的性能測試
    3.4 本章小結(jié)
第四章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號：3756490