單層MoSe₂具有1.52 eV的直接帶隙,位于近紅外光波段且?guī)洞笮】烧{(diào),其光電轉(zhuǎn)換效率明顯高于雙層及少層,并表現(xiàn)出區(qū)別于其對應(yīng)體材料的光學(xué)特性。二維MoSe₂中庫侖屏蔽效應(yīng)的減弱導(dǎo)致激子結(jié)合能顯著提高,在室溫下可以形成中性激子、帶電激子、束縛激子、雙激子等多粒子體系,從而表現(xiàn)出豐富的光學(xué)性質(zhì)。單層MoSe₂在第一布里淵區(qū)拐角(K點(diǎn))處的低能電子和空穴有效質(zhì)量相當(dāng),它們的波函數(shù)沿著垂直于平面方向0.2 nm的范圍內(nèi)受到Mo原子層強(qiáng)的約束作用,因此,單層MoSe₂是探索激子物理在二維極限中的理想納米材料。作為可見光波段光電器件應(yīng)用的潛在材料,二維MoSe₂的光學(xué)性質(zhì)亟待進(jìn)一步研究。由于半導(dǎo)體的載流子濃度影響其激子態(tài)進(jìn)而影響其熒光特性,本文以MoSe₂為研究對象,通過引入p型摻雜劑Nb來調(diào)控MoSe₂內(nèi)部的載流子類型和濃度,結(jié)合光譜學(xué)方法,研究了MoSe₂熒光的內(nèi)稟機(jī)理。CVD系統(tǒng)參數(shù)很多,對各個(gè)參數(shù)的調(diào)控會(huì)顯著影...

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 二維G6-TMDs概述
    1.3 二維MoSe₂ 的簡介
        1.3.1 二維MoSe₂ 的晶體結(jié)構(gòu)與物理性質(zhì)
        1.3.2 二維MoSe₂ 的電子結(jié)構(gòu)
        1.3.3 二維MoSe₂ 的應(yīng)用
    1.4 二維MoSe₂ 的制備方法
    1.5 二維MoSe₂ 光學(xué)調(diào)控的研究現(xiàn)狀
        1.5.1 柵壓調(diào)控法
        1.5.2 化學(xué)修飾法
        1.5.3 缺陷調(diào)控法
        1.5.4 取代摻雜法
        1.5.5 研究現(xiàn)狀總結(jié)
    1.6 本文選題意義及主要研究內(nèi)容
第2章 二維MoSe₂的CVD生長及光譜表征
    2.1 引言
    2.2 MoSe₂的CVD制備工藝
        2.2.1 基底和原料的選擇
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
        2.2.3 實(shí)驗(yàn)流程
    2.3 生長條件對MoSe₂ 的影響
        2.3.1 MoO3 的濃度對MoSe₂ 的影響
        2.3.2 生長溫度對MoSe₂ 的影響
        2.3.3 H2 的比例對MoSe₂ 的影響
        2.3.4 壓強(qiáng)對MoSe₂ 的影響
    2.4 MoSe₂ 的光譜表征
        2.4.1 三角形MoSe₂ 的光譜表征
        2.4.2 六角雪花狀MoSe₂ 的光譜表征
    2.5 小結(jié)
第3章 Na Cl輔助CVD生長二維MoSe₂、NbSe2 及光譜表征
    3.1 引言
    3.2 制備工藝
        3.2.1 原料的選擇
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)流程
    3.3 MoSe₂ 的生長及光譜表征
        3.3.1 酒精懸濁液準(zhǔn)備Mo源
        3.3.2 壓片準(zhǔn)備Mo源
    3.4 NaCl在 MoSe₂ 生長中的作用
    3.5 NbSe2 的生長及Raman分析
    3.6 小結(jié)
第4章 Nb摻雜二維MoSe₂的CVD生長及光譜表征
    4.1 引言
    4.2 制備工藝
    4.3 Nb摻雜MoSe₂ 的形貌分析
    4.4 XPS成分分析
    4.5 Nb摻雜MoSe₂ 對光譜的影響
    4.6 小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號：3746460