采用原子層沉積系統(tǒng)中自帶的等離子體發(fā)生器產(chǎn)生N₂等離子體直接處理InP表面,系統(tǒng)地研究了氮化對Al₂O₃/InP金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）電容界面特性及柵漏電特性的影響。實驗結(jié)果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和邊界缺陷密度,抑制InP表面自然氧化物的形成,改善界面質(zhì)量,提高Al₂O₃/InP MOS電容的電學性能。氮化之后,在Al₂O₃/InP界面會形成一個約為0.8 nm厚的界面層,積累區(qū)頻散由7.8%降低至3.5%,滯回由130減小至60 mV,界面缺陷密度由5×10¹²降低至2×10¹²cm^-2·eV^-1,邊界缺陷密度由9×10¹¹降低至5.85×10¹¹V^-1cm^-2,柵漏電流由9×10^-5降低至2.5×10^-7

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【文章目錄】：
1 試驗
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



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